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TPD65R600C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 14.5nC@ 10V 560mΩ@ 10V,3A 7A TO-252-2
供应商型号: TPD65R600C
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WUXI UNIGROUP/无锡紫光微电子 场效应管(MOSFET) TPD65R600C

TPD65R600C概述

    TPP65R600C 系列超级结功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    TPP65R600C、TPA65R600C、TPU65R600C、TPD65R600C、TPC65R600C 和 TPB65R600C 是无锡紫光微电子有限公司推出的一系列超级结功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些产品具有非常低的开关损耗(FOM RDS(on)×Qg),广泛应用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)等领域。

    2. 技术参数


    这些产品的核心参数如下:
    - 漏源电压(VDSS):650 V
    - 连续漏电流(ID):7 A
    - 脉冲漏电流(IDM):21 A
    - 栅源电压(VGSS):±30 V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):162 mJ
    - 重复雪崩能量(EAR):0.2 mJ
    - 功率耗散(TC=25ºC):63 W(TO-220、TO-251、TO-252),28 W(TO-262、TO-263),25 W(TO-220F)
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55~+150 ºC
    - 热阻(Junction-to-Case, RthJC):2.0 K/W(TO-220、TO-251、TO-252),4.5 K/W(TO-262、TO-263),4.5 K/W(TO-220F)
    - 热阻(Junction-to-Ambient, RthJA):62 K/W(TO-220、TO-251、TO-252),80 K/W(TO-262、TO-263),65 K/W(TO-220F)

    3. 产品特点和优势


    - 非常低的 FOM RDS(on)×Qg:这意味着这些 MOSFET 在高频率下具有较低的开关损耗,特别适合用于高频电源转换。
    - 100% 雪崩测试:确保器件在极端条件下的可靠性和耐用性。
    - 符合 RoHS 标准:环保且适用于各种应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 主要应用于以下几个方面:
    - 开关模式电源(SMPS):在高频率下运行时,能有效减少功耗和提高效率。
    - 不间断电源(UPS):为系统提供持续的电力供应,保护关键设备免受电源故障的影响。
    - 功率因数校正(PFC):帮助改善电源系统的功率因数,提高整体效率。
    使用建议:
    - 散热管理:由于这些 MOSFET 的功率耗散较大,在设计电路时应考虑有效的散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够的栅极电压和驱动电流,以避免栅极击穿。

    5. 兼容性和支持


    这些 MOSFET 与其他常见的电子元器件和设备具有良好的兼容性,可广泛应用于各类电源设备。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,以确保用户能够充分利用这些产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流条件下,器件温度升高过快。
    - 解决方案:增加散热装置,如散热片或冷却风扇,以降低工作温度。
    - 问题:出现开关噪声。
    - 解决方案:优化驱动电路设计,采用合适的门极电阻,减小杂散电感。
    - 问题:功率耗散超出预期。
    - 解决方案:检查负载情况和工作条件,确保工作在额定范围内,并考虑使用更高效的驱动电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,TPP65R600C 系列超级结功率 MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,非常适合在高要求的电源转换应用中使用。它们在低损耗和高温耐受性方面的优势使得这些器件在市场上具备很强的竞争力。对于需要高效、可靠的电源解决方案的应用场合,推荐使用这些 MOSFET。

TPD65R600C参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 14.5nC@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ@ 10V,3A
通用封装 TO-252-2

TPD65R600C厂商介绍

无锡华虹半导体有限公司(Wuxi Unigroup)是中国领先的集成电路制造企业之一,专注于为全球客户提供先进的半导体制造服务。公司主营产品包括集成电路(IC)和功率器件,广泛应用于消费电子、通信、计算机、汽车电子、工业控制等多个领域。

华虹半导体的产品分类主要包括:
1. 集成电路(IC):包括逻辑IC、存储器、微控制器等,用于各种电子设备的核心处理。
2. 功率器件:如MOSFET、IGBT等,用于电力转换和控制,是新能源汽车、智能电网等关键技术的核心组件。

华虹半导体的优势在于:
1. 技术领先:拥有先进的制程技术,能够满足客户对高性能、低功耗产品的需求。
2. 产能规模:拥有大规模的生产线,能够快速响应市场需求,提供稳定的供应链支持。
3. 客户服务:提供定制化的解决方案,以满足不同客户的特定需求,增强客户粘性。
4. 研发投入:持续加大研发投入,推动技术创新,保持行业竞争力。

华虹半导体致力于通过技术创新和优质服务,为全球客户提供高质量的半导体产品,推动电子产业的发展。

TPD65R600C数据手册

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TPD65R600C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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5000+ ¥ 1.9329
7500+ ¥ 1.7428
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