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WSR60N06D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSR60N06D TO-220-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSR60N06D

WSR60N06D概述

    WSR60N06D N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSR60N06D 是一款 N-Channel MOSFET,专为多种高密度电源转换应用设计。它采用了先进的沟槽技术,提供了低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适用于功率开关应用、LED 背光照明、不间断电源等多种应用场景。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID@TC=25℃):60A
    - 连续漏极电流 (ID@TC=100℃):41A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):120A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):390mJ
    - 总功耗 (PD@TC=25℃):89W
    - 热阻 (RθJA):62℃/W
    - 结壳热阻 (RθJC):1.68℃/W
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)):13.5mΩ(在 VGS=10V 和 ID=60A 下)
    - 门阈值电压 (VGS(th)):1.2V 至 2.5V
    - 反向恢复时间 (trr):16.3ns
    - 输入电容 (Ciss):2426pF(在 VDS=15V、VGS=0V 和 1MHz 下)

    产品特点和优势


    WSR60N06D 的核心优势在于其出色的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷,这使其非常适合高密度设计。此外,该器件具有高雪崩耐受能力 (EAS),能够在极端条件下保持稳定运行。封装设计优异,有助于良好的散热性能。该器件还具备高 ESD 能力,保证了在应用中的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    该 MOSFET 广泛应用于多种电力转换和控制应用,例如:
    - 电源开关应用:用于高效率的直流-直流转换器和电源管理模块。
    - LED 背光照明:可以作为开关元件,用于调节 LED 的亮度。
    - 不间断电源 (UPS):用于稳定输出电压和提供后备电源。
    - 高密度电池设计:其低导通电阻 (RDS(ON)) 特性特别适合用于提高系统的能效。
    使用建议:
    - 在高温环境下(如 TC=100℃),建议降额使用以确保器件长期稳定运行。
    - 对于高频率应用,注意控制栅极电荷以减少开关损耗。
    - 使用时注意散热措施,避免过热导致损坏。

    兼容性和支持


    WSR60N06D 与标准 TO-220AB 封装兼容,可以直接替换同类型的 MOSFET。Winsok 提供详尽的技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高温下持续漏极电流不足
    - 解决方案:确保使用时遵循手册推荐的工作温度范围,并考虑外部散热措施。

    - 问题:开关频率过高导致发热
    - 解决方案:降低开关频率,优化电路布局以减少寄生电感,从而减少开关损耗。

    总结和推荐


    WSR60N06D N-Channel MOSFET 凭借其低导通电阻、高雪崩耐受能力和优秀的封装设计,在高密度电源转换应用中表现出色。其广泛的温度适应性和高可靠性使其成为众多应用场景的理想选择。强烈推荐给需要高效、可靠的 MOSFET 的工程师和技术人员。

WSR60N06D参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-220

WSR60N06D数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSR60N06D WSR60N06D数据手册

WSR60N06D封装设计

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