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WST6006

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 115mA SOT-323
供应商型号: WST6006 SOT-323-3L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6006

WST6006概述

    WST6006 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WST6006 是一款高性能的沟槽式N通道MOSFET,具有极高单元密度,专为多种小功率开关和负载开关应用设计。该产品符合RoHS和绿色产品标准,具备全面的功能可靠性认证。WST6006 在高频点对点负载同步降压转换器、网络直流-直流电源系统和负载开关中有着广泛的应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 60 V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏电流(25℃)| ID@TA=25℃ 115 mA |
    | 持续漏电流(70℃)| ID@TA=70℃ 75 mA |
    | 脉冲漏电流 | IDM 1.0 A |
    | 总功耗(25℃) | PD@TA=25℃ 0.2 W |
    | 热阻 | RθJA 1-625 ℃/W |
    此外,WST6006 的其他关键参数还包括:阈值电压(1-2.5 V)、反向传输电容(2.5-5.0 pF)、输入电容(17-50 pF)和输出电容(10-25 pF)。

    3. 产品特点和优势


    WST6006 的特点和优势包括但不限于:
    - 高速开关能力:适用于高频率开关应用。
    - 环保产品:符合RoHS标准,绿色环保。
    - 抗静电保护:ESD保护达到2KV,确保长期可靠使用。
    - 优秀的RDS(on):在不同温度下提供稳定的低导通电阻。
    - 宽泛的工作温度范围:存储温度范围为-55到150℃,适用于极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    WST6006 广泛应用于点对点负载同步降压转换器、网络直流-直流电源系统和负载开关。例如,在笔记本电脑和平板电脑中,它被用于高效能的电源管理;在数据中心的服务器中,它用于高密度直流-直流转换器。为了更好地利用这一特性,用户应关注以下几个方面:
    - 在高频应用中,选择合适的栅极驱动电路以减少开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 配合适当滤波电容可以减少电磁干扰,提高系统的稳定性。

    5. 兼容性和支持


    WST6006 与常见的主板、网络设备和其他兼容设备兼容,可作为电源管理和负载控制的关键组件。Winsok 提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户快速上手并解决潜在问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案如下:
    - 问题:如何确保WST6006的栅极不会因静电而损坏?
    - 解决方案:在装配过程中使用防静电工具和包装材料,并确保所有连接设备都接地良好。

    - 问题:在高温环境中,WST6006的性能是否会受到影响?
    - 解决方案:可以通过增加外部散热片或采用主动冷却措施来保持芯片温度在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    总体来看,WST6006 是一款适合于高频率、高可靠性的电源管理解决方案。其高性能、绿色环保特性和广泛应用领域的潜力使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能和可靠性的应用场景,WST6006 是一个值得推荐的产品。

WST6006参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 115mA
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 SOT-323

WST6006数据手册

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WST6006封装设计

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