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WSF7N40

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF7N40 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF7N40

WSF7N40概述

    WSF7N40 N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSF7N40是一款N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhanced VDMOSFET),通过自对齐平面工艺制造,旨在减少导通损耗、提升开关性能并提高雪崩能量耐受能力。这款MOSFET适用于各种功率转换电路,可用于系统的小型化和更高效率的应用场合。

    2. 技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压(VDS):400V
    - 栅源电压(VGS):±30V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(ID,TC=25°C):7A
    - 连续漏极电流(ID,TC=100°C):4.0A
    - 脉冲漏极电流(IDM):28A
    - 功率参数
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):176mJ
    - 瞬态总功耗(PD,TC=25°C):33W
    - 温度参数
    - 储存温度范围(TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 到 150°C
    - 热阻参数
    - 结至环境热阻(RθJA):1 至 60°C/W
    - 结至外壳热阻(RθJC):1 至 3.8°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高密度深槽技术:先进的高密度深槽技术,提高了电流承载能力和可靠性。
    - 超低栅极电荷:出色的栅极电荷性能,降低开关损耗。
    - 低Cdv/dt效应:优异的Cdv/dt衰减效果,进一步提升了性能。
    - 绿色环保:提供环保型产品选择。

    4. 应用案例和使用建议


    - 不间断电源(UPS):WSF7N40可以应用于UPS系统,以实现更高的能效和更紧凑的设计。
    - 功率因数校正(PFC):在PFC应用中,WSF7N40可以有效地减少导通损耗,提高系统效率。
    - 使用建议:在使用时需注意散热设计,确保结温不超过150°C。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSF7N40适用于各种标准的封装和接口,可与多种电路板和系统兼容。
    - 支持:Winsok提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、在线帮助和现场技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:工作时过热怎么办?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用合适的散热器或风扇。
    - 问题2:无法达到额定电流?
    - 解决方案:检查电路连接和驱动条件,确保符合技术手册的要求。
    - 问题3:出现异常信号?
    - 解决方案:检查电路布局,特别是高频噪声干扰部分。

    7. 总结和推荐


    WSF7N40是一款高性能的N沟道MOSFET,具有优秀的导通性能和高可靠性。适用于各类功率转换电路,特别是需要高效率和小体积的场合。建议在使用时充分考虑散热设计,以确保长期稳定运行。总体而言,WSF7N40是一款值得推荐的产品,尤其适合对效率和可靠性要求较高的应用场景。

WSF7N40参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
通用封装 TO-252

WSF7N40数据手册

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WSF7N40封装设计

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