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WSD46N10DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD46N10DN56 DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD46N10DN56

WSD46N10DN56概述

    # 高性能SGT双N沟道MOSFET:WSD46N10DN56技术详解

    产品简介


    WSD46N10DN56是一款高性能的超级栅极双N沟道MOSFET(SGT),专为高效同步降压转换器设计。该器件采用了先进的高密度槽栅工艺,具备超低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷,适合多种电源管理和电机控制应用。作为环保型产品,WSD46N10DN56符合RoHS标准,同时具备100%单脉冲雪崩能量保证,确保其在恶劣工作条件下的可靠性。
    应用领域:
    - DC-DC转换器
    - 电机控制
    - 其他功率转换和开关应用

    技术参数


    以下是WSD46N10DN56的主要技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 100 V |
    | 栅源击穿电压 | VGS ±20 V |
    | 连续漏电流(TC=25℃) | ID | VGS=10V 40 A |
    | 连续漏电流(TC=100℃) | ID | VGS=10V 33 A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | 120 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 57 mJ |
    | 热阻(结-环境) | RθJA 25 °C/W |
    | 热阻(结-外壳) | RθJC 1.7 °C/W |

    产品特点和优势


    1. 卓越的高密度槽栅技术
    WSD46N10DN56采用了先进的槽栅结构设计,有效提升了单位面积内的晶胞密度,使其具有出色的导通性能和低功耗。
    2. 极低的栅极电荷
    优秀的总栅极电荷特性(Qg)大幅降低了驱动损耗,适用于高频应用。
    3. 优异的Cdv/dt衰减效果
    有效减少电路中的电磁干扰(EMI),增强系统的稳定性和可靠性。
    4. 环保友好型产品
    通过RoHS认证,满足绿色生产要求,适合现代环保型电子系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在典型的同步降压转换器中,WSD46N10DN56作为主控开关管,可显著降低功耗并提升效率。
    - 用于电机驱动应用时,其低导通电阻特性有效减少热量积累,延长设备寿命。
    使用建议:
    - 散热管理:由于较高的工作温度范围(-55℃至150℃),需合理布置散热片以确保最佳性能。
    - 驱动电路优化:结合低Rg驱动芯片,进一步减少开关损耗,提高效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSD46N10DN56支持多种封装形式,便于与现有PCB设计兼容。
    - 支持服务:WinSok公司提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户快速解决开发中的技术难题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中温度过高 | 增加散热片或优化热管理系统 |
    | 导通电阻偏高 | 检查工作电压是否达到额定范围 |
    | 雪崩击穿现象频繁发生 | 确保负载电流不超过额定值 |

    总结和推荐


    WSD46N10DN56凭借其卓越的性能和创新技术,成为当前市场中极具竞争力的SGT双N沟道MOSFET产品。其广泛的应用范围、可靠的设计以及环保特性使其成为电源管理领域的理想选择。强烈推荐给需要高效能、低功耗解决方案的工程师和技术人员。
    综合评分:★★★★★
    推荐指数:★★★★★

WSD46N10DN56参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -

WSD46N10DN56数据手册

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WSD46N10DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 3.1534
15000+ ¥ 3.0588
25000+ ¥ 2.9671
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