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WSF3013C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF3013C
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3013C

WSF3013C概述

    WSF3013C N-Ch 和 P-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSF3013C 是一款高性能的沟槽式 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。这种 MOSFET 主要用于同步降压转换器应用,能够提供出色的 RDSON(导通电阻)和栅极电荷。此外,WSF3013C 完全符合 RoHS 和绿色环保产品要求,并且 100% 的 EAS(单脉冲雪崩能量)得到保证。

    技术参数


    以下是 WSF3013C 的技术规格和性能参数:
    | 参数 | N-Ch | P-Ch |
    |
    | VDS (最大耐压) | 30 V | -30 V |
    | VGS (最大栅极电压) | ±20 V | ±20 V |
    | 连续漏极电流 (VGS(NP)=10V, Tc=25℃) | 25 A | -18 A |
    | 连续漏极电流 (VGS(NP)=10V, Tc=100℃) | 10 A | -10 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (L=0.5mH) | 22 mJ | -30 mJ |
    | 总功率耗散 (Tc=25℃) | 25 W | 25 W |
    | 储存温度范围 | -55℃ 至 150℃ | -55℃ 至 150℃ |
    | 结温范围 | 150℃ | 150℃ |

    产品特点和优势


    1. 高级高密度沟槽技术:确保高效的单元密度和卓越的性能。
    2. 超低栅极电荷:减少驱动能耗,提高系统效率。
    3. 优秀的CdV/dt效应下降:降低开关损耗,提高系统可靠性。
    4. 100% EAS保证:确保单脉冲雪崩能量的最大化。
    5. 绿色环保设备:符合RoHS标准,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    WSF3013C MOSFET 广泛应用于各种电源系统,如无刷直流电机(BLDC)和直流-直流电源系统(DC-DC)。以下是使用该产品的具体建议:
    1. 选择适当的驱动电路:确保驱动电路能够提供足够的栅极电荷以快速开启和关闭MOSFET。
    2. 注意散热设计:由于较高的总功率耗散,应特别注意散热设计以保持较低的工作温度。
    3. 保护电路设计:为防止过压和过流情况,建议设计相应的保护电路。

    兼容性和支持


    WSF3013C 适用于广泛的电子设备和系统。Winsok公司提供全面的技术支持,包括应用指南和故障排除服务,确保客户能够在使用过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 过热问题:确保良好的散热设计和合理的负载条件。
    2. 驱动电路不匹配:检查并调整驱动电路参数,确保足够的栅极电荷。
    3. 反向恢复电流过大:增加缓冲电路或减小开关频率。

    总结和推荐


    WSF3013C MOSFET 以其卓越的性能和可靠性,在众多应用中表现出色。它特别适合于需要高效能和稳定性的电源系统。建议在需要高性能、可靠性和符合环保要求的应用中优先选用。

WSF3013C参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252-4L

WSF3013C数据手册

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WSF3013C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.2796
50+ ¥ 1.0024
150+ ¥ 0.8836
500+ ¥ 0.7355
2500+ ¥ 0.6805
5000+ ¥ 0.6408
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