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WSD30L88DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD30L88DN56 DFN5X6-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD30L88DN56

WSD30L88DN56概述

    WSD30L88DN56 双极P沟道MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSD30L88DN56 是一款高性能的双极P沟道MOSFET,具有极高单元密度。它适用于高频点负载同步降压转换器(用于移动设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机和视频图形阵列),网络DC-DC电源系统和负载开关。该产品符合RoHS标准,并且100%通过了EAS测试,确保了全面的功能可靠性。

    技术参数


    以下是WSD30L88DN56 的关键技术参数:
    | 参数符号 | 参数描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | -30 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID | 持续漏电流 -49 | -23 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 -120 | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 68 | mJ |
    | PD | 总功率耗散 40 | W |
    | RθJA | 结到环境热阻 | 1 50 | ℃/W |
    | RθJC | 结到外壳热阻 | 1 2.4 | ℃/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 | -30 V |
    | RDSON | 静态漏源导通电阻 11.5 | 16 | mΩ |
    | VGS(th) | 栅阈电压 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | V |
    | Qg | 总栅电荷 22 nC |
    | Coss | 输出电容 282 pF |

    产品特点和优势


    - 极高的单元密度:采用先进的深沟槽技术,提供出色的RDSON和栅电荷。
    - 极低的栅电荷:适合于高频应用。
    - 出色的CdV/dt效应下降:有助于减少开关损耗。
    - 100% EAS保证:确保在高能脉冲条件下的可靠性。
    - 绿色设备可选:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    WSD30L88DN56 主要应用于:
    - 高频点负载同步降压转换器(例如:移动设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机和视频图形阵列)。
    - 网络DC-DC电源系统。
    - 负载开关。
    使用建议:
    - 在设计高频电路时,注意栅电荷和总栅电荷的影响,以减少开关损耗。
    - 考虑到最大功率耗散限制,应确保散热系统能够有效散热。

    兼容性和支持


    WSD30L88DN56 与其他Winsok的电子元器件具有良好的兼容性,并提供详细的技术支持和维护服务。用户可以在Winsok官方网站上获取更多技术支持文档和资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何测量RDSON?
    - 解决方案:使用万用表在静态条件下测量漏源电压和电流,计算RDSON。

    - 问题:在高温度下如何保持正常运行?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,并遵循最大功率耗散的限制条件。

    - 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据所需的速度和功耗选择合适的驱动电阻,通常可以通过公式计算确定最佳值。

    总结和推荐


    WSD30L88DN56 双极P沟道MOSFET 具有出色的设计特性和广泛的应用范围。其独特的高性能单元密度、低栅电荷和高可靠性的特点使其成为高频应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品给需要高性能和可靠性的设计工程师。
    综上所述,WSD30L88DN56 在高频点负载同步降压转换器和负载开关应用中表现出色,符合严格的可靠性标准。因此,我们推荐使用此产品。

WSD30L88DN56参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 DFN-8

WSD30L88DN56数据手册

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WSD30L88DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 2.7059
25000+ ¥ 2.6247
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