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WSK290N04G6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSK290N04G6 TO-263-6L
供应商: 期货订购
标准整包数: 800
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK290N04G6

WSK290N04G6概述


    产品简介


    WSK290N04G6 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,特别适用于同步降压转换器等开关应用。该产品符合RoHS标准及绿色产品要求,并通过了100% EAS(雪崩能量)测试,确保其全功能可靠性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):40V
    - 栅源电压 (VGSS):±20V
    - 最大结温 (TJ):175°C
    - 连续漏极电流 (ID):290A (TC=25°C)
    - 热阻 (RθJC):0.65°C/W
    - 热阻 (RθJA):50°C/W
    - 击穿电压 (BVDSS):40V (VGS=0V, IDS=250μA)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):10μA (TJ=85°C)
    - 阈值电压 (VGS(th)): 1.0-2.5V (IDS=250μA, VD=VG)
    - 栅漏电阻 (RDS(ON)): 1.2mΩ (VGS=10V, IDS=30A)

    产品特点和优势


    - 高密度沟槽技术:提供优秀的 RDS(ON) 和栅极电荷,适合大多数同步降压转换器应用。
    - 超低栅极电荷:显著降低功耗,提高效率。
    - 优异的 dV/dt 效应下降:减少瞬态电压对电路的影响。
    - 100% EAS 保证:确保产品的可靠性和稳定性。
    - 绿色环保产品:符合RoHS标准,适合环保应用。

    应用案例和使用建议


    应用领域:广泛应用于电源管理、逆变系统等开关应用。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免因过热导致的失效。
    - 使用大散热片以增强散热效果。
    - 遵循手册中的测试条件,确保产品的正常运行。

    兼容性和支持


    该产品与其他电源管理设备具有良好的兼容性。厂商提供详细的技术支持和维护信息,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品无法达到规定的最大电流。
    解决方法:检查散热设计是否合理,确保温度在允许范围内。
    问题2:产品在高温环境下运行不稳定。
    解决方法:增加散热措施,如使用更大的散热片或优化PCB布局。
    问题3:启动时出现不稳定现象。
    解决方法:检查栅极电阻设置,确保符合手册中的推荐值。

    总结和推荐


    WSK290N04G6 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适用于电源管理和逆变系统中的开关应用。其出色的 RDS(ON) 特性和低栅极电荷使其在高效电源设计中表现出色。此外,其绿色环保特性和完善的测试保证了其长期的稳定性和可靠性。因此,我们强烈推荐使用该产品。
    以上是对WSK290N04G6的技术手册内容进行整理后生成的文章。希望这些信息能帮助您更好地了解和使用这款高性能MOSFET。

WSK290N04G6参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-263-6L

WSK290N04G6数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSK290N04G6 WSK290N04G6数据手册

WSK290N04G6封装设计

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