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WST2302

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2302 SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2302

WST2302概述

    WST2302 N-Ch MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    WST2302 是一款高性能的沟槽型N通道MOSFET,具有极高的单元密度。该器件广泛应用于高频率点负载同步整流、小型功率转换及负载开关等领域。此外,它还符合RoHS和绿色产品要求,确保在广泛应用中的可靠性和环保性。

    2. 技术参数


    - 电气参数
    - VDS (漏源电压):20 V
    - VGS (栅源电压):±12 V
    - ID@TC=25℃ (连续漏电流):3.0 A (VGS @ 4.5V)
    - ID@TC=70℃ (连续漏电流):2.5 A (VGS @ 4.5V)
    - IDM (脉冲漏电流):10 A
    - PD@TA=25℃ (总耗散功率):1.0 W
    - TSTG (存储温度范围):-55°C 到 150°C
    - TJ (工作结温范围):-55°C 到 150°C
    - 热阻抗
    - RθJA (结到环境热阻):1°C/W 至 200°C/W
    - RθJC (结到壳热阻):1°C/W 至 75°C/W
    - 其他参数
    - RDSON (导通电阻):70 mΩ (BVDSS=20V, ID=3.0A)
    - gfs (正向跨导):8.0 S
    - Qg (总栅极电荷):5.4 nC (VDS=15V, VGS=4.5V, ID=1A)

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供低导通电阻和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:提高开关速度和效率。
    - 优秀的Cdv/dt效应衰减:减少电磁干扰(EMI)。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,确保环境友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高频点负载同步整流。
    - 小型电源转换,适用于移动电脑(MB/NB/UMPC)、视频图形阵列(VGA)等设备。
    - 网络DC-DC电源系统。
    - 负载开关。
    - 使用建议:
    - 在高功率应用中,需考虑散热措施,以防止过热。
    - 由于其低导通电阻和超低栅极电荷特性,建议在需要快速开关的应用中使用,如高速电机驱动或高频开关电源。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WST2302与多种电路板和电源设计兼容,适用于各类高频和快速开关应用。
    - 支持:Winsok提供了详尽的技术文档和客户支持,包括技术咨询和故障排除服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下,如何避免过热?
    - A: 使用外部散热片或散热风扇进行辅助散热,确保工作结温保持在安全范围内。

    - Q: 如何正确测量导通电阻RDSON?
    - A: 在标准条件下(如VGS=4.5V, ID=1.8A)进行测量,以确保数据准确性。

    7. 总结和推荐


    WST2302 N-Ch MOSFET 是一款非常适合高频和快速开关应用的产品,具有出色的性能和可靠性。它的高密度沟槽技术和低导通电阻使其成为许多领域的理想选择。综上所述,强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的场合。

WST2302参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 SOT-23

WST2302数据手册

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WST2302封装设计

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