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WSP06N10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSP06N10L SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP06N10L

WSP06N10L概述

    WSP06N10L N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSP06N10L 是一款高性能的沟槽型 N-通道 MOSFET,拥有极高的单元密度。它提供出色的 RDS(ON)(导通电阻)和门电荷,适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合 RoHS 和绿色产品标准,具有 100% 额定单脉冲雪崩能量保证,且经过全面的功能可靠性认证。

    2. 技术参数


    WSP06N10L 的关键技术和电气特性如下:
    | 参数 | 基本值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS(漏源电压) | 100 V |
    | VGS(栅源电压) | ±20 V |
    | ID(连续漏电流) |
    | - TA=25℃ | 6.0 A |
    | - TA=70℃ | 4.0 A |
    | IDM(脉冲漏电流) | 20 A |
    | EAS(单脉冲雪崩能量) | 25 mJ |
    | IAS(雪崩电流) | 10 A |
    | PD(总功率耗散) |
    | - TA=25℃ | 3.5 W |
    | 热阻 RθJA | 70 ℃/W |
    | BVDSS(漏源击穿电压) | 100 V |
    | RDS(ON)(导通电阻) | 58 | 70 | mΩ |
    | VGS(th)(栅阈电压) | 1.2 | 2.5 | V |
    | gfs(正向跨导) | 20 S |
    | Qg(总门电荷) | 20 nC |
    | Ciss(输入电容) | 920 pF |
    | Coss(输出电容) | 60 pF |

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高单元密度沟槽技术:提升器件的整体性能。
    - 超低门电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应下降:减少栅极噪声。
    - 环保设计:符合 RoHS 和绿色产品标准。
    - 高可靠性和稳定性:100% 额定单脉冲雪崩能量保证。

    4. 应用案例和使用建议


    WSP06N10L 主要应用于高频点负载同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统及负载开关等。这些应用需要高效能的功率转换和开关控制。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热以避免过热。
    - 确保电路设计合理,减少杂散电感和电容的影响。
    - 在高压应用场合,确保 VDS 不超过额定值,以避免击穿风险。

    5. 兼容性和支持


    WSP06N10L 具有良好的兼容性,可以与其他标准电子元件配合使用。Winsok 公司提供技术支持和售后服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流下器件发热严重。
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如添加散热片或风扇。

    2. 问题:电压超过额定值导致击穿。
    - 解决方案:检查电路设计,确保 VDS 不超过额定值。

    3. 问题:在高温环境下工作性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,降低工作温度。

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSP06N10L N-Ch MOSFET 是一款性能优异的产品,具有出色的导通电阻、低门电荷和良好的温度稳定性。它的设计使其非常适合于高频、高效的应用场合。如果您的项目需要高性能、低功耗的功率转换解决方案,强烈推荐使用 WSP06N10L。
    本文档对 WSP06N10L N-Ch MOSFET 的技术手册进行了详细的总结和解析,希望能为用户提供全面的产品信息和技术支持。

WSP06N10L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOP-8

WSP06N10L数据手册

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WSP06N10L封装设计

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9000+ ¥ 0.7294
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