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WST3420

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST3420 SOT-23L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3420

WST3420概述

    WST3420 N-Ch MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    WST3420 是一款高性能的沟槽式 N 沟道 MOSFET,具有极高密度的单元格设计。它广泛应用于高频点对点同步开关电源、小型功率开关、负载开关等领域,适用于移动设备(如移动笔记本、平板电脑和UMPC)及网络DC-DC电源系统等场景。

    技术参数


    - VDS(漏源电压):20 V
    - VGS(栅源电压):±12 V
    - 连续漏极电流(VGS @ 4.5V, TC=25℃):4.4 A
    - 连续漏极电流(VGS @ 4.5V, TC=70℃):3.2 A
    - 脉冲漏极电流:12 A
    - 总功耗(TA=25℃):1.0 W
    - 热阻(结-壳):75 ℃/W
    - 热阻(结-环境):200 ℃/W
    - 阈值电压(VGS=VDS, ID=250uA):0.3 至 1.2 V
    - 栅源泄漏电流(VGS=±8V, VDS=0V):±100 nA
    - 反向恢复时间(IF=2A, dI/dt=100A/µs, TJ=25℃):5.5 ns
    - 反向恢复电荷:1.8 nC

    产品特点和优势


    - 高级高密度单元格沟槽技术:保证了优秀的 RDS(ON) 和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:有效提高效率并减少功耗。
    - 优秀的 Cdv/dt 效应衰减:确保在高频率操作下的稳定性和可靠性。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,适合绿色制造需求。

    应用案例和使用建议


    WST3420 主要用于高频率点对点同步开关电源,适用于移动设备和网络DC-DC电源系统。在实际应用中,推荐遵循以下几点建议:
    - 确保工作环境温度在 -55℃ 至 150℃ 范围内,以避免超出最大额定温度。
    - 选择合适的电路布局以优化散热效果,避免因过热导致器件损坏。
    - 在实际应用中,注意总功耗的限制,以免超过器件的最大功率能力。

    兼容性和支持


    WST3420 设计上与其他常见的N沟道MOSFET类似,可以在多种电路板设计中轻松集成。厂商提供详细的技术文档和客户支持服务,帮助客户解决问题和进行应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:WST3420 是否能承受极端高温环境?
    - 解答:是的,WST3420 可以在 -55℃ 至 150℃ 的温度范围内稳定运行,但需要注意散热设计以防止过热。
    2. 问题:如何优化 WST3420 的散热效果?
    - 解答:通过合理的设计电路板和使用高效的散热材料,可以显著提升散热效果。建议在设计时参考制造商提供的散热指南。

    总结和推荐


    WST3420 N-Ch MOSFET 在高频应用中表现出色,具有出色的 RDS(ON) 和栅极电荷性能。由于其高可靠性和广泛的应用范围,我们强烈推荐在高频率开关电源设计中使用此产品。然而,在使用过程中必须遵守厂商的指导,确保所有参数均不超过额定值,以避免可能的损害。

WST3420参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-23N

WST3420数据手册

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WST3420封装设计

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