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WST2319

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2319 SOT-23L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2319

WST2319概述


    产品简介


    WST2319 P-Ch MOSFET 是一款高性能的垂直沟槽式P沟道MOSFET,具有极高的单元密度。它主要适用于高频点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统以及负载开关等应用领域。其卓越的Rdson(导通电阻)和栅极电荷特性使其在各种电源管理应用中表现出色,符合RoHS和绿色产品标准。

    技术参数


    - 电气参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -40 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \) (在 \( V{GS} \) @ -10V, TC=25℃): -6.0 A
    - 连续漏极电流 \( ID \) (在 \( V{GS} \) @ -10V, TC=100℃): -4.5 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -24 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 12 mJ
    - 雪崩电流 \( I{AS} \): -7 A
    - 总功率耗散 \( PD \) (在 TC=25℃): 1.4 W
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 125 ℃/W
    - 热阻 \( R{\theta JC} \): 36 ℃/W
    - 其他参数
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \) (在 \( V{GS}=0V \), \( ID=-250\mu A \)): -40 V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \) (在 \( V{GS}=-4.5V \), \( ID=-1A \)): 35 mΩ
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): -0.8 至 -2.2 V
    - 门限电压温度系数 \( \Delta V{GS(th)} \): 4.56 mV/℃
    - 漏源泄漏电流 \( I{DSS} \) (在 \( V{DS}=-28V \), \( V{GS}=0V \), \( TJ=55℃ \)): 5 uA
    - 门源泄漏电流 \( I{GSS} \) (在 \( V{GS}=\pm20V \), \( V{DS}=0V \)): ±100 nA
    - 前向跨导 \( g{fs} \) (在 \( V{DS}=-5V \), \( ID=-3A \)): 15 S
    - 门电阻 \( Rg \) (在 \( V{DS}=0V \), \( V{GS}=0V \), \( f=1MHz \)): 3.8 Ω

    产品特点和优势


    - 高级高密度沟槽技术:采用先进的高密度沟槽技术,实现更低的导通电阻和更小的栅极电荷。
    - 低栅极电荷:出色的栅极电荷特性,有利于提高开关速度。
    - 优秀的 \( CdV/dt \) 效应下降:减小了快速瞬变的影响。
    - 100% EAS 保证:提供完整的雪崩能量测试保证。
    - 绿色环保产品:满足RoHS标准,确保无铅化生产。

    应用案例和使用建议


    - 高频点对点同步降压转换器:适用于需要高效能和高速度转换的应用场景。
    - 网络DC-DC电源系统:适用于需要高可靠性的数据中心和网络设备。
    - 负载开关:用于需要高效率和紧凑设计的场合。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,注意热管理,确保热阻不会导致过热。
    - 使用大容量电容来减少输入输出纹波电压。
    - 避免长时间超过最大额定值的操作,以延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与其他符合相同封装和电气特性的电子元器件和设备兼容。
    - 支持:Winsok 提供全面的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下工作时,性能有所下降。
    解决方案:使用散热片或热管进行有效的热管理,确保工作温度不超过150℃。
    2. 问题:产品在高脉冲电流下表现不稳定。
    解决方案:使用更大的外部电容来吸收瞬时电流,同时注意负载的稳定性。
    3. 问题:产品在长时间工作后出现故障。
    解决方案:定期检查和维护,避免过载操作,使用适当的保护电路如热敏电阻。

    总结和推荐


    综上所述,WST2319 P-Ch MOSFET 在高频和高可靠性应用中表现出色,具有较低的导通电阻和优秀的栅极电荷特性。它特别适合于高密度电源管理和负载开关应用,且具有良好的绿色环保属性。对于需要高性能和高可靠性的工程师和技术人员来说,这是一个值得推荐的产品。

WST2319参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 SOT-23-3L

WST2319数据手册

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WST2319封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.1706
15000+ ¥ 0.1655
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