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WST2337

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2337 SOT-23L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2337

WST2337概述

    WST2337 P-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST2337 是一款高性能的沟槽型P沟道MOSFET,具备极高的单元密度,适用于大多数小功率开关和负载开关应用。该产品符合RoHS标准,且可靠性得到全面认证。WST2337广泛应用于高频率点负载同步转换、小型电源开关、网络直流-直流电源系统等领域。

    技术参数


    WST2337 的技术参数如下:
    - VDS (漏源电压):-15 V
    - VGS (栅源电压):±12 V
    - ID@Tc=25℃ (连续漏电流):-5.0 A(VGS @ -4.5V)
    - ID@Tc=70℃ (连续漏电流):-3.5 A(VGS @ -4.5V)
    - IDM (脉冲漏电流):-25 A
    - PD@TA=25℃ (总功耗):1.4 W
    - TSTG (存储温度范围):-55°C 至 150°C
    - TJ (工作结温范围):-55°C 至 150°C
    - RθJA (热阻,结到环境):125°C/W
    - RθJC (热阻,结到外壳):80°C/W

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:确保高效率和低损耗。
    - 超低栅极电荷:提高开关速度并减少能耗。
    - 优异的Cdv/dt效果下降:减少噪声干扰,提高信号完整性。
    - 绿色环保设备:符合RoHS和环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高频点负载同步转换:如MB/NB/UMPC/VGA的小型电源开关。
    - 网络直流-直流电源系统。
    - 负载开关。
    - 使用建议:
    - 确保工作温度在-55°C至150°C范围内。
    - 使用适当的散热措施以防止过热。
    - 在高频应用中注意降低栅极电荷的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于各种表面贴装工艺,如FR4板上的表面贴装。
    - 支持:提供全面的技术文档和售后服务,确保客户顺利应用。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 产品是否适用于极高可靠性的应用?
    - A1: 不适用于极高可靠性要求的应用,如生命支持系统、飞机控制系统等。咨询Winsok销售代表以获取更多信息。

    - Q2: 是否可以超出额定值使用?
    - A2: 不建议超出额定值使用,任何超出额定值的使用均可能造成产品故障。详细信息请参考技术手册。

    总结和推荐


    综上所述,WST2337 是一款高性能的P沟道MOSFET,具有优良的开关特性和高可靠性。适用于多种应用领域,尤其适合高频率、小型化的需求。尽管有严格的使用限制,但对于符合条件的应用,WST2337是极具性价比的选择。
    推荐使用:建议在明确其适用范围后使用,尤其是需要高可靠性和高效能的场合。

WST2337参数

参数
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOT-23N

WST2337数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST2337 WST2337数据手册

WST2337封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2668
9000+ ¥ 0.2588
15000+ ¥ 0.2511
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