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WSF4N65

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.6Ω@10V,3.5A 4A TO-252-2L
供应商型号: WSF4N65 TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF4N65

WSF4N65概述


    产品简介


    WSF4N65 N-Ch MOSFET 是一款由 Winsok 生产的高性能沟槽式N通道MOSFET,适用于各种高效率电力转换应用。该产品具备极高的单元密度和出色的低导通电阻(Rdson)及门电荷(Gate Charge),使其成为同步降压转换器应用的理想选择。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):650 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏电流(ID@TC=25℃, VGS @ 10V):4 A
    - 连续漏电流(ID@TC=100℃, VGS @ 10V):2.5 A
    - 脉冲漏电流(IDM):16 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):128 mJ
    - 总功率耗散(PD):77 W
    - 热阻(RθJA):62.5 ℃/W
    - 热阻(RθJC):1.62 ℃/W
    - 反向恢复时间(trr):454 ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):2076 nC

    产品特点和优势


    - 先进的高密度沟槽技术:提供了优异的Rdson和门电荷。
    - 超低门电荷:降低驱动损耗,提高能效。
    - 出色的dv/dt效应下降:减小开关损耗,提高可靠性。
    - 绿色环保产品:符合RoHS标准,全功能可靠性验证。
    - 高温稳定性:可在-55至150℃范围内工作,保证了在极端温度条件下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源(SMPS)中的AC/DC转换。
    - 不间断电源(UPS)。
    - 适配器。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热措施,以确保产品的正常运行。
    - 为了降低门电荷的影响,可以采用更高效的驱动电路来提升整体效率。
    - 在设计电路时,需考虑反向恢复时间和电荷对系统的影响,以优化性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与市面上常见的SMPS和其他电力转换设备高度兼容,适用于多种应用场景。
    - 支持和维护:Winsok提供详尽的技术文档和支持服务,客户可以随时联系最近的代理商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何优化电源转换效率?
    - 解决方法:选择更低的Rdson和门电荷的产品,并确保良好的散热管理。
    - 问题:长时间工作后出现过热现象怎么办?
    - 解决方法:改善散热设计,如增加散热片或风扇,减少内部温升。

    总结和推荐


    总结:
    WSF4N65 N-Ch MOSFET 具备极高的性能和稳定性,适用于各种高要求的应用场景。其高密度沟槽技术和绿色环保特性使得它在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛应用领域,强烈推荐在高效率电力转换系统中使用 WSF4N65 N-Ch MOSFET。如果需要进一步的技术支持,可联系 Winsok 的专业团队。

WSF4N65参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@10V,3.5A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252-2L

WSF4N65数据手册

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WSF4N65封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 1.1176
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