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WSF80N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 33nC@ 1.5V 80A TO-252-2L
供应商型号: WSF80N06 TO-252-2L
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF80N06

WSF80N06概述

    WSF80N06 N-Ch MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    WSF80N06 是一款 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为消费电子电源管理、电机控制及同步整流应用设计。这款 MOSFET 使用先进的 VD MOST 技术,提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和快速开关能力。它特别适合于需要高稳定性和均匀性的逆变器应用。

    技术参数


    | 参数 | 额定值 | 单位 |
    |
    | VDS(漏源电压) | 60 | V |
    | VGS(栅源电压) | ±20 | V |
    | ID@TC=25℃(连续漏电流) | 80 | A |
    | ID@TC=100℃(连续漏电流) | 43 | A |
    | IDM(脉冲漏电流) | 270 | A |
    | PD@TC=25℃(总功耗) | 104 | W |
    | TSTG(存储温度范围)| -55 至 150 | ℃ |
    | TJ(工作结温范围) | -55 至 150 | ℃ |
    | RθJA(结-环境热阻) | 62.5 | ℃/W |
    | RθJC(结-壳热阻) | 1.2 | ℃/W |
    其他关键参数包括:
    - RDS(ON):7.2 mΩ(在 VGS=10V,ID=45A 条件下)
    - BVDSS(漏源击穿电压):60 V
    - IDSS(漏源漏电流):10 μA(在 VDS=60V,VGS=0V,TJ=25℃ 条件下)

    产品特点和优势


    WSF80N06 的显著特点是其超低的导通电阻(RDS(ON)),仅为 7.2 mΩ,这有助于降低功耗和提高效率。其低栅极电荷(Qg)和快速开关时间使其适用于高频应用,如同步整流。此外,该器件具备优秀的稳定性和均匀性,能够在严苛的工作条件下保持高性能。

    应用案例和使用建议


    WSF80N06 可广泛应用于消费电子电源供应、电机控制和同步整流等领域。例如,在电机控制应用中,可以有效减少能量损失并提高系统效率。在设计时,建议遵循制造商提供的应用指南,确保电路设计符合其电气特性。对于高功率应用,需要注意散热设计,以避免因过热而导致性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    WSF80N06 采用 TO-252 封装,易于集成到现有的电路板设计中。制造商 Winsok 提供详细的技术支持和文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,Winsok 还提供售后服务和技术咨询,确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    - 解决方案: 加强散热设计,确保适当的散热片和良好的空气流通。

    2. 问题:频繁切换导致损坏
    - 解决方案: 在电路设计中加入保护电路,如过热保护和短路保护。

    3. 问题:性能不稳
    - 解决方案: 检查电源输入是否稳定,必要时添加稳压器或滤波器。

    总结和推荐


    WSF80N06 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性。这些特点使其在各种应用中表现出色,特别是在消费电子、电机控制和同步整流领域。建议在需要高效能、高可靠性的应用中优先考虑使用该产品。

WSF80N06参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 33nC@ 1.5V
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 TO-252-2L

WSF80N06数据手册

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WSF80N06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 1.3529
12500+ ¥ 1.3124
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