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WSD4018DN22

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 26mΩ@ 10V,8A 18A DFN2X2-6S
供应商型号: WSD4018DN22 DFN2X2-6S
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD4018DN22

WSD4018DN22概述

    # WSD4018DN22 P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSD4018DN22 是一款高性能的沟槽型 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,特别适用于小功率开关及负载开关的应用场景。这款产品符合 RoHS 和绿色环保要求,且经过全面的功能可靠性验证。主要功能包括高频率点对点同步整流、网络 DC-DC 电源系统的小功率开关,以及负载开关。WSD4018DN22 的核心优势在于其出色的低导通电阻(RDS(ON))和极低的栅极电荷,使其在高频和高效应用中表现出色。

    技术参数


    以下是 WSD4018DN22 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=-250uA | -40 V |
    | 栅漏击穿电压 | BVDSS | VGS=±20V, VDS=0V 25 | V |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V ±100 | nA |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-8.0A 26 mΩ |
    | 阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS, ID=-250uA | -3.0 | -1.5 | -1.0 | V |
    | 漏源连续电流(Tc=25°C) | ID | VGS=-10V -18 A |
    | 漏源连续电流(Tc=70°C) | ID | VGS=-10V -14.6 A |
    | 瞬态漏源脉冲电流 | IDM | VGS=-4.5V 54 A |
    | 总功耗 | PD | Tc=25°C 19 W |
    | 栅极电荷 | Qg | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-1.5A 27 nC |

    产品特点和优势


    WSD4018DN22 的核心优势包括以下几点:
    - 先进的沟槽技术:采用先进的高单元密度沟槽技术,有效降低导通电阻并提高整体效率。
    - 超低栅极电荷:减少开关损耗,特别适合高频应用。
    - 优秀的 dv/dt 抑制能力:有助于稳定系统的动态表现。
    - 绿色环保设计:符合 RoHS 标准,适合环保要求高的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WSD4018DN22 可广泛应用于以下领域:
    - 移动设备:MB/NB/UMPC/VGA 小功率开关。
    - 网络设备:网络 DC-DC 电源系统。
    - 负载开关:如笔记本电脑的电源管理模块。
    使用建议
    - 在高频应用中,确保电路布局合理以降低寄生效应。
    - 针对高温环境,需要考虑热管理措施以避免过热问题。

    兼容性和支持


    WSD4018DN22 支持多种主流 PCB 设计,具有良好的兼容性。厂商提供详尽的技术支持文档和样品测试服务,确保用户快速集成到产品中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关管温度过高 | 添加散热片,优化 PCB 布局 |
    | 开关频率不稳定 | 检查输入电源质量 |
    | 开关速度慢 | 调整驱动电路,优化栅极电容 |

    总结和推荐


    WSD4018DN22 是一款高性能、绿色环保的小功率 P 沟道 MOSFET,特别适合高频、低损耗的电源管理应用。其出色的导通电阻、高频率开关能力和兼容性强的特点,使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在需要高效率和稳定性的应用场景中使用此产品。

WSD4018DN22参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 10V,8A
通用封装 DFN2X2-6S

WSD4018DN22数据手册

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WSD4018DN22封装设计

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