处理中...

首页  >  产品百科  >  WSP4884

WSP4884

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2W 2.5V@ 250uA 30V 23mΩ@ 10V,8.5A 8.8A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2160 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4884

WSP4884概述

    WSP4884 双N沟道MOSFET技术手册

    产品简介


    WSP4884 是一款高性能的双N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的高密度沟槽技术制造。它在同步降压转换器应用中表现优异,提供低导通电阻和极低的栅极电荷。该产品符合RoHS和绿色产品要求,适用于多种高频应用场合,如笔记本电脑、台式机、UMPC和VGA系统中的点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等。

    技术参数


    - 额定参数:
    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏电流 (ID@TC=25℃, VGS@10V): 8.8 A
    - 持续漏电流 (ID@TC=70℃, VGS@10V): 7.0 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 40 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 20 mJ
    - 雪崩电流 (IAS): 9 A
    - 总耗散功率 (PD@TA=25℃): 2.0 W
    - 储存温度范围 (TSTG): -55°C 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 动态参数:
    - 热阻 (RθJA): 90 °C/W
    - 热阻 (RθJC): 50 °C/W
    - 直流参数:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在 VGS=10V,ID=8.5A 时:18.5 mΩ
    - 在 VGS=4.5V,ID=5A 时:25 mΩ
    - 其他参数:
    - 开关时间延迟 (Td(on)): 6 ns
    - 上升时间 (Tr): 8.2 ns
    - 关断延迟时间 (Td(off)): 16 ns
    - 下降时间 (Tf): 4 ns
    - 输入电容 (Ciss): 580 pF
    - 输出电容 (Coss): 95 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 57 pF

    产品特点和优势


    WSP4884 具有以下特点和优势:
    - 高密度沟槽技术:提升性能和可靠性。
    - 超低栅极电荷:降低功耗和提高效率。
    - 优秀的CdV/dt效应下降:增强开关性能。
    - 100% EAS保证:确保在单脉冲雪崩情况下无损坏。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,适合环保应用。
    这些特点使得 WSP4884 在高频率应用中表现出色,特别是在电源管理领域,能够有效降低能耗和提高整体系统效率。

    应用案例和使用建议


    WSP4884 广泛应用于多种高频同步降压转换器,如笔记本电脑、台式机、UMPC和VGA系统中的点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关等。例如,在笔记本电脑中,它可以用于提升电源管理系统的效率和可靠性。
    使用建议:
    - 确保工作环境温度在规定范围内,以避免过热。
    - 在设计电路时,注意栅极电荷管理和驱动电路的设计,以减少损耗和提升效率。
    - 适当增加散热片,以改善散热效果,特别是高功率运行时。

    兼容性和支持


    WSP4884 采用SOP-8封装,与市面上大多数标准封装的电路板兼容。制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括测试报告、故障排除指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:工作时发热严重?
    - 解决方案:增加散热措施,如添加散热片或风扇,确保良好的空气流通。

    - 问题2:导通电阻偏高?
    - 解决方案:检查驱动电路是否存在问题,确保栅极电荷管理良好。
    - 问题3:栅极泄漏电流过大?
    - 解决方案:检查封装是否有损坏,重新焊接或者更换新的MOSFET。

    总结和推荐


    WSP4884是一款高度可靠的双N沟道MOSFET,具备出色的性能和耐用性。它的低导通电阻和优秀的栅极电荷管理使其成为电源管理系统中的理想选择。考虑到其多功能性和稳定性,强烈推荐在需要高效电源管理的应用中使用。
    通过以上内容,我们希望用户可以更好地了解WSP4884的功能和应用场景,从而做出更加明智的选择。

WSP4884参数

参数
Id-连续漏极电流 8.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 2W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 10V,8.5A
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP4884数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4884 WSP4884数据手册

WSP4884封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0674
50+ ¥ 1.0046
150+ ¥ 0.8966
500+ ¥ 0.6718
3000+ ¥ 0.6467
9000+ ¥ 0.6278
库存: 1431
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 5.33
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336