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WST05N10L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: C2758425
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST05N10L

WST05N10L概述


    产品简介


    WST05N10L 高密度沟槽型N通道MOSFET
    WST05N10L是一款高性能的沟槽型N通道MOSFET,专为小功率开关和负载切换应用设计。该产品具有高单元密度、低导通电阻(RDSON)和低栅极电荷等优点,使其在电池保护、不间断电源(UPS)和负载开关等领域得到广泛应用。

    技术参数


    以下是WST05N10L的技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 漏源击穿电压(BVDSS) | 100 V |
    | 漏源导通电阻(RDS(ON)) 120 mΩ |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 0.5 | 1.2 | 1.7 | V |
    | 漏源漏电流(IDSS) 1 | uA |
    | 漏源漏电流(IDSS) 5 | uA |
    | 栅源漏电流(IGSS) ±100 | nA |
    | 前向转移电导(gfs) 5 S |
    | 总栅极电荷(Qg) 20.5 nC |
    | 栅源电荷(Qgs) 2.1 nC |
    | 栅漏电荷(Qgd) 3.3 nC |
    其他电气特性还包括:
    - 导通延迟时间(Td(on)):6 ns
    - 上升时间(Tr):4 ns
    - 关断延迟时间(Td(off)):20 ns
    - 下降时间(Tf):4 ns
    - 输入电容(Ciss):650 pF
    - 输出电容(Coss):25 pF
    - 反向转移电容(Crss):20 pF

    产品特点和优势


    1. 高级高密度沟槽技术:采用先进的沟槽制造工艺,提供出色的性能。
    2. 超低栅极电荷:具有极低的栅极电荷,有助于降低驱动功耗。
    3. 优秀的Cdv/dt效果下降:有效的减小了电压变化率带来的影响。
    4. 绿色环保设备:符合RoHS和无铅要求,适合绿色生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护:通过WST05N10L的高可靠性,有效保护电池免受过流和短路损害。
    - 不间断电源(UPS):适用于UPS系统中的负载开关,提高系统的可靠性和效率。
    - 负载开关:广泛应用于各种负载开关场景,如服务器电源管理。
    使用建议:
    - 在高电流环境下使用时,建议监控温升情况,确保散热良好。
    - 在设计电路时,注意合理的布局和布线,以减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    WST05N10L可以方便地与常见的SOT-23-3L封装进行连接,适用于多种板载设计方案。Winsok公司提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够快速解决问题并获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题1:导通电阻过高导致发热严重。
    解决方案:检查电路布局是否合理,确保良好的散热条件。若仍然存在问题,可能需要考虑更换散热材料或增加散热片。
    常见问题2:漏源击穿电压不足导致设备损坏。
    解决方案:检查工作电压是否超出最大限制。若超出,应调整电路设计,避免过压情况的发生。
    常见问题3:栅极电荷过大导致功耗增加。
    解决方案:确认驱动电路的设计是否合适,适当调整驱动电压或采用低电荷MOSFET替代。

    总结和推荐


    综合评估:
    WST05N10L凭借其高密度沟槽技术、低栅极电荷和出色的Cdv/dt效果下降,在电池保护、不间断电源和负载开关等应用中表现出色。其环保特性也符合现代绿色生产的趋势。
    推荐意见:
    强烈推荐WST05N10L用于需要高性能和可靠性的应用场合。尽管其成本略高于部分同类产品,但其优异的性能和长寿命使其成为市场上极具竞争力的选择。

WST05N10L参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 SOT-23-3L

WST05N10L数据手册

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WST05N10L封装设计

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