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WSF4022

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSF4022
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF4022

WSF4022概述

    WSF4022 Dual N-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSF4022 是一款由 Winsok 公司生产的双沟道 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Dual N-Ch MOSFET),主要应用于电机控制和同步整流等领域。这款 MOSFET 使用先进的深沟槽技术,具有高密度的单元结构,提供了极低的导通电阻(RDS(on))和门电荷(Qg),使其成为同步降压转换器等应用的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压(VDS):40V
    - 门阈值电压(VGS(th)):1.1V 至 2.5V
    - 漏电流(ID):最大为 20A
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值为 16mΩ,最大值为 21mΩ
    - 总门电荷(Qg):7.5nC
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 封装形式:TO-252-4L
    - 绝对最大额定值
    - 单脉冲雪崩能量:39.4mJ
    - 最大漏源电压(VDS):40V
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 最大功率耗散(PD):在 TC=25°C 时为 12.2W

    产品特点和优势


    1. 先进的深沟槽技术:确保高密度的单元结构,提升开关性能。
    2. 超低门电荷:减少驱动损耗,提高能效。
    3. 优秀的 CdV/dt 效应下降:在高速开关过程中减少电压过冲和下冲,降低电磁干扰(EMI)。
    4. 100% 雪崩耐受能力:保证在高瞬态电流下的可靠性。
    5. 完全符合 RoHS 和绿色产品要求:确保环保标准。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:适用于步进电机和直流电机的驱动,尤其是在需要快速响应的应用中。
    - 同步整流:适合高频开关电源的设计,例如开关电源、电池充电器等。
    - 使用建议:为了最大限度发挥其性能,在设计电路时要考虑到散热问题,避免长时间超过最高工作温度运行。同时,注意电源电压的稳定性,以避免瞬间过压对 MOSFET 的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF4022 支持常见的电源电压和频率范围,可以轻松集成到现有系统中。
    - 支持:Winsok 公司提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保 WSF4022 在极端温度下的稳定性?
    - 解决办法:确保散热设计合理,避免长时间在高温环境下运行。
    - 问题:如何防止雪崩击穿?
    - 解决办法:遵循正确的门极驱动策略,确保电路设计能够吸收雪崩能量。


    总结和推荐


    WSF4022 双沟道 N 沟道 MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适合在电机控制和同步整流等领域应用。其先进的技术和高可靠性使其在市场上具备较强的竞争力。综合考虑其特点和优势,强烈推荐在相关应用中使用 WSF4022。
    通过详细的分析和总结,WSF4022 展现出了其作为高性能 MOSFET 的潜力,适合于多种应用场合,是一款值得信赖的产品。

WSF4022参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 TO-252-4L

WSF4022数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WSF4022封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.5624
50+ ¥ 1.4706
150+ ¥ 1.3125
500+ ¥ 0.9834
2500+ ¥ 0.9466
7500+ ¥ 0.9191
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