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WSD20L120DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 100nC@ 4.5V 2.1mΩ@ 4.5V,20A 120A DFN5X6-8L
供应商型号: 14M-WSD20L120DN56 DFN5*6-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD20L120DN56

WSD20L120DN56概述

    WSD20L120DN56 高频同步降压控制器专用P沟道MOSFET

    产品简介


    WSD20L120DN56 是一款高性能的沟槽式P沟道MOSFET,具有极高的单元密度。它适用于高频点对点负载同步降压转换器、网络直流电源系统和负载开关等多种应用场合。该器件符合RoHS标准,且提供100%单脉冲雪崩能量保证,确保其在各种苛刻环境下的可靠运行。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | -20 | - | - | V |
    | 栅漏击穿电压 | VDS | -20 | - | - | V |
    | 连续漏电流 | ID@TC=25℃ | -120 | - | - | A |
    | 连续漏电流 | ID@TC=100℃ | -69.5 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IDM | -340 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 300 | - | mJ |
    | 热阻(结到壳) | RθJC | - | - | 1.6 | ℃/W |
    | 热阻(结到环境) | RθJA | - | - | 54 | ℃/W |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 4950 | pF |

    产品特点和优势


    - 极高单元密度:采用先进的沟槽技术,使得该MOSFET具有更小的体积和更高的性能。
    - 超低栅电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 出色的CdV/dt效应下降:提升抗干扰能力。
    - 100%单脉冲雪崩能量保证:确保在极端条件下的可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保友好。

    应用案例和使用建议


    WSD20L120DN56 可广泛应用于高频点对点负载同步降压转换器、网络直流电源系统和负载开关等领域。对于这些应用场景,以下是一些使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,以避免因温度过高导致器件损坏。
    - 在进行电路设计时,应根据实际应用需求选择合适的栅电荷,以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    WSD20L120DN56 与其他Winsok的电子元器件和设备具有良好的兼容性。Winsok提供了详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够获得最佳的应用体验。如有任何技术问题,用户可以通过Winsok的官方技术支持渠道获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出范围
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热措施如散热片或风扇。
    2. 问题:栅极电压超出额定范围
    - 解决方案:调整驱动电路,确保栅极电压不超过最大允许值。
    3. 问题:发热严重
    - 解决方案:改善散热设计,增加散热面积,确保器件正常工作。

    总结和推荐


    WSD20L120DN56 是一款性能卓越的P沟道MOSFET,具有超高的单元密度、优秀的栅电荷特性和出色的抗干扰能力。适用于多种高频和高可靠性要求的应用场合。我们强烈推荐此产品用于需要高性能、高可靠性的电路设计。

WSD20L120DN56参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 120A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 100nC@ 4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 4.5V,20A
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD20L120DN56数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WSD20L120DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.8387
10+ ¥ 3.6129
30+ ¥ 3.2245
100+ ¥ 2.4162
5000+ ¥ 2.3258
15000+ ¥ 2.2581
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