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WST2337A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST2337A SOT-23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2337A

WST2337A概述

    WST2337A P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WST2337A 是一款高性能的沟槽式P通道MOSFET,具有极高单元密度。它主要用于高频点对点同步小功率开关和负载开关应用,适用于移动设备(如笔记本电脑、超级移动PC和视频游戏机)、网络直流到直流电源系统及负载开关等场合。该产品符合RoHS和绿色产品要求,并已通过全面的功能可靠性认证。

    2. 技术参数


    以下是WST2337A的主要技术参数:
    - 电压参数
    - 漏源电压(VDS):-15 V
    - 栅源电压(VGS):±12 V
    - 电流参数
    - 在25℃时的连续漏极电流(ID):-4.8 A
    - 在70℃时的连续漏极电流(ID):-3.4 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):-24 A
    - 功耗参数
    - 在25℃时的总功耗(PD):1.4 W
    - 温度参数
    - 存储温度范围(TSTG):-55至150℃
    - 工作结温范围(TJ):-55至150℃
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻(RθJA):125℃/W
    - 结到壳体热阻(RθJC):80℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高密度单元沟槽技术:提供卓越的RDS(ON)和栅极电荷,适用于各种小功率开关和负载开关应用。
    - 超低栅极电荷:有助于提高效率和减少开关损耗。
    - 出色的Cdv/dt效应下降:减少瞬态干扰。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,环保且可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    - 移动设备充电电路:WST2337A特别适合于MB/NB/UMPC/VGA等移动设备的充电电路,能够有效提高转换效率和减少发热。
    - 负载开关设计:在负载开关应用中,由于其低导通电阻(RDS(ON)),可以实现更高效的小功率切换。
    使用建议:
    - 确保应用环境中温度不超出规定的范围(-55至150℃),特别是在高温环境下,需要考虑增加散热措施。
    - 针对脉冲电流应用,确保脉冲宽度不超过300μs,占空比不超过2%。

    5. 兼容性和支持


    - WST2337A 可以与多种电子元器件和设备兼容,适用于不同的电路设计。厂商提供了详细的规格书和技术支持,以帮助用户正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间超过额定值运行会怎样?
    - 解决方案:避免长时间超过额定值运行,如有必要,应采取适当的散热措施以保护设备。
    - 问题:如何确保产品符合RoHS标准?
    - 解决方案:WST2337A经过专门设计,确保符合RoHS标准。在采购时,可向供应商索取相关证明文件。

    7. 总结和推荐


    WST2337A P-Ch MOSFET凭借其高效的单元密度、低导通电阻和良好的栅极电荷特性,在小功率开关和负载开关应用中表现出色。其先进的技术使其在性能和可靠性方面都具有很高的市场竞争力。因此,强烈推荐在需要高效能、低损耗的场合使用该产品。

WST2337A参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
通用封装 SOT-23L

WST2337A数据手册

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WST2337A封装设计

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50+ ¥ 0.3286
150+ ¥ 0.2933
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3000+ ¥ 0.2116
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