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WSF3055

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 4nC@ 4.5V 15mΩ@ 10V,9A TO-252-4L
供应商型号: 14M-WSF3055 TO-252-4
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF3055

WSF3055概述


    产品简介


    WSF3055 N-Channel和P-Channel MOSFET
    WSF3055是一款结合了N-Channel和P-Channel结构的高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种双极性设计使得它非常适合应用于多种电力电子设备中,如电机控制、便携式设备和同步整流。由于采用了先进的沟槽技术,WSF3055表现出非常低的导通电阻(RDS(ON))和较低的门极电荷,使其在开关应用中表现优异。此外,它能够在低至4.5V的栅极电压下操作,非常适合电池保护和其他类似的电路。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS): 30V/-30V
    - 最大栅源电压(VGSS): ±20V
    - 连续漏极电流(ID): 24A/-19.8A
    - 最高结温(TJ): 150°C
    - 热阻(RθJC): 6.6°C/W
    - 最大门极电阻(RG): 12Ω (P通道)
    - 最大反向恢复时间(trr): 17ns (P通道)
    - 零栅压漏极电流(IDSS): -30mA (N通道)

    产品特点和优势


    WSF3055具有多个独特的优势,使其在市场上具有较强的竞争力:
    - 先进的沟槽技术:降低导通电阻并减少门极电荷,提高整体效率。
    - 低栅极电压操作:最低操作电压为4.5V,适用于需要低电压驱动的应用。
    - 高可靠性:能够在极端温度条件下稳定工作,适用于严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电机控制:WSF3055在电机控制应用中可以提供稳定的电流控制和低损耗。
    2. 便携式设备:由于低功耗和轻薄的设计,WSF350适用于各种便携式设备。
    3. 同步整流:在高频电源转换器中,WSF3055的低导通电阻特性可以显著提高效率。
    使用建议
    - 合理散热设计:考虑到热阻值,建议在设计时考虑良好的散热措施,以确保器件在长时间工作时保持低温度。
    - 适当选择工作参数:避免超过器件的最大额定值,特别是温度和电流方面,以保证长期可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF3055适用于广泛的电源管理和电机控制电路。
    - 支持:Winsok提供了详尽的技术文档和支持服务,包括故障排查指南和应用说明。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导致过热 | 确保适当的散热设计,降低环境温度。 |
    | 电流不稳定 | 检查电路连接,确认负载条件。 |
    | 寿命短 | 避免超出最大额定值工作,定期检查和更换损坏部件。 |

    总结和推荐


    WSF3055 N-Channel和P-Channel MOSFET凭借其高效能、高可靠性和广泛的应用范围,在电子元器件市场上具有明显的优势。适合于对性能要求较高的应用场合,特别推荐用于电机控制和便携式设备中。强烈建议在设计和应用时遵循厂商提供的技术指导和最佳实践,以确保长期可靠性和高性能。

WSF3055参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 4nC@ 4.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 10V,9A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-252-4L

WSF3055数据手册

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WSF3055封装设计

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