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WSK150N12

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSK150N12 TO-263-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSK150N12

WSK150N12概述


    产品简介


    WSK150N12 N-Ch MOSFET
    WSK150N12 是一款高性能的沟槽N通道MOSFET,适用于高频率点对点同步降压转换器和网络直流电源系统。该产品具有极高的单元密度,提供出色的静态导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷,能够满足大部分同步降压转换器的应用需求。WSK150N12 符合RoHS和绿色产品要求,单脉冲雪崩能量(EAS)保证,全面的功能可靠性测试已通过。

    技术参数


    - BVDSS (Drain-Source Breakdown Voltage):120V
    - RDS(ON) (Static Drain-Source On-Resistance):5.0mΩ(典型值)
    - ID (Continuous Drain Current):150A(VGS @ 10V, TC=25℃)
    - TSTG (Storage Temperature Range):-55℃ 至 155℃
    - TJ (Operating Junction Temperature Range):-55℃ 至 155℃
    - IDM (Pulsed Drain Current):330A
    - EAS (Single Pulse Avalanche Energy):400mJ
    - RθJC (Thermal resistance, junction-case):0.65℃/W
    - RθJA (Thermal resistance, junction-ambient):62℃/W
    - Qg (Total Gate Charge):68.9nC
    - Qgs (Gate-Source Charge):18.1nC
    - Qgd (Gate-Drain Charge):15.9nC
    - Ciss (Input Capacitance):5823pF
    - Coss (Output Capacitance):778.3pF
    - Crss (Reverse Transfer Capacitance):17.5pF

    产品特点和优势


    1. 高级高密度沟槽技术:提高了单位面积内的单元密度,增强了产品的整体性能。
    2. 超低栅极电荷:降低了开关损耗,提高了效率。
    3. 优秀的CdV/dt效应下降:有效减少开关过程中电压尖峰的影响。
    4. 100% EAS保证:确保在极端条件下的可靠性能。
    5. 绿色装置可选:符合环保标准,减少环境污染。

    应用案例和使用建议


    WSK150N12 主要应用于高频率点对点同步降压转换器和网络直流电源系统。例如,在网络设备中的直流电源系统中,WSK150N12可以有效地降低功率损耗,提高系统整体效率。建议在选择合适的工作环境时,注意保持温度在规定的范围内(-55℃ 至 155℃),以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    WSK150N12 与大多数常见的直流电源系统兼容,适用于广泛的电路设计。厂商提供全面的技术支持和可靠性测试,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备温度过高导致性能下降。
    解决方案:检查散热系统是否正常工作,确保工作温度在安全范围内。
    2. 问题:输出电流不稳定。
    解决方案:检查电路连接和负载情况,确保所有部件连接正确且负载适配。
    3. 问题:栅极电压不稳定。
    解决方案:确认栅极驱动电路正常工作,检查并调整驱动电压。

    总结和推荐


    WSK150N12 N-Ch MOSFET凭借其卓越的性能、高可靠性以及广泛的应用范围,成为高频率同步降压转换器和网络直流电源系统的理想选择。建议在需要高效能和稳定性的应用场景中使用此产品。

WSK150N12参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263-2L

WSK150N12数据手册

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WSK150N12封装设计

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