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WST2303

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST2303 SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2303

WST2303概述

    WST2303 P-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST2303 是一款高性能的沟槽式P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度,提供出色的导通电阻(Rdson)和栅极电荷,适用于小功率开关和负载开关应用。WST2303 符合RoHS和绿色产品要求,并经过全功能可靠性验证。

    技术参数


    - 额定电压:漏源电压 Vds = -20V
    - 栅源电压:Vgs = ±8V
    - 连续漏电流:
    - TC=25℃时:Id = -3.8A
    - TC=70℃时:Id = -2.5A
    - 脉冲漏电流:Idm = -13A
    - 总耗散功率:Pd = 1W
    - 存储温度范围:Tstg = -55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围:Tj = -55℃ 至 150℃
    - 热阻:
    - 结-环境热阻 RθJA = 125℃/W
    - 结-壳热阻 RθJC = 80℃/W
    - 击穿电压:BVDSS = -20V
    - 导通电阻:
    - VGS = -4.5V, Id = -3.8A 时:RDS(ON) = 65mΩ
    - VGS = -2.5V, Id = -2A 时:RDS(ON) = 80mΩ
    - 阈值电压:VGS(th) = -0.5V(典型值)
    - 反向恢复时间:trr = 29ns(典型值)

    产品特点和优势


    1. 高密度单元技术:采用先进的高密度沟槽技术,提高性能和可靠性。
    2. 低栅极电荷:具有超低的栅极电荷,适用于高频应用。
    3. 优秀的Cdv/dt效果:降低Cdv/dt效应的影响,确保稳定运行。
    4. 环保:产品符合RoHS标准,为绿色环保设备。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 高频点对点同步电源转换,适用于笔记本电脑、超移动电脑和微型显卡。
    - 网络DC-DC电源系统。
    - 负载开关。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,注意确保散热措施,避免过热导致性能下降。
    - 在大电流应用中,考虑使用适当的栅极驱动器以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WST2303 可与其他标准SOT-23-3封装的电子元器件兼容,便于集成到现有电路设计中。
    - 支持:Winsok提供技术支持和售后服务,帮助用户解决使用过程中遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品过热怎么办?
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的散热条件。必要时,可使用散热风扇辅助降温。
    - 问题2:栅极泄漏电流过大怎么办?
    - 解决方案:检查栅极电路是否有损坏,重新焊接或更换栅极驱动器。

    总结和推荐


    WST2303 P-Ch MOSFET 是一款性能卓越的小功率开关应用的理想选择,适用于多种现代电子产品。其高密度单元技术、低栅极电荷和优秀的Cdv/dt效应抑制能力使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐在高频、小功率应用中使用该产品,同时请注意适当的设计和散热措施以确保最佳性能。
    通过合理的设计和使用,WST2303 将在各种应用中表现出色,满足用户的多样化需求。

WST2303参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-23-3L

WST2303数据手册

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WST2303封装设计

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