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WST2N7002K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 200mW 2.5V@ 250uA 60V 3Ω@10V,500mA 300mA SOT-23L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2N7002K SOT-23N
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST2N7002K

WST2N7002K概述


    产品简介


    WST2N7002K N-Ch MOSFET
    WST2N7002K是一款高密度沟槽N通道MOSFET,专为小型功率开关和负载开关应用设计。它具有极低的导通电阻(RDSON)和门极电荷,使其成为点对点同步降压转换器、网络DC-DC电源系统和负载开关的理想选择。

    技术参数


    - 额定电压:VDS(漏源电压)= 60V
    - 门极电压:VGS(门源电压)= ±20V
    - 连续漏电流:
    - 在25°C时:ID@TA=25℃ = 300mA
    - 在70°C时:ID@TA=70℃ = 150mA
    - 脉冲漏电流:IDM = 1.2A
    - 总功耗:PD@TA=25℃ = 0.2W
    - 存储温度范围:TSTG = -55 to 150℃
    - 工作结温范围:TJ = -55 to 150℃
    - 热阻:RθJA = 1到625℃/W
    - 击穿电压:BVDSS = 60V
    - 导通电阻:RDS(ON) = 1Ω
    - 阈值电压:VGS(th) = 1到2.5V
    - 前向二极管电压:VSD = 1V

    产品特点和优势


    WST2N7002K的主要特点是其高密度沟槽结构和出色的导通电阻(RDSON)。这些特性使其适用于高频应用,如笔记本电脑、移动平台和网络设备的DC-DC转换器。此外,WST2N7002K还具备以下优势:
    - 高速开关能力:适合高频应用。
    - 绿色环保:符合RoHS标准。
    - 静电保护:具备2KV ESD保护。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 点对点同步降压转换器:适用于笔记本电脑、移动平台和便携式设备。
    - 网络DC-DC电源系统:适用于数据中心和服务器。
    - 负载开关:用于需要快速响应的应用。
    使用建议
    - 温度管理:由于最高结温限制为150°C,建议在高温环境中使用适当的散热措施。
    - 驱动电路设计:考虑到开关速度和效率,应优化驱动电路的设计以减少延迟时间和振铃效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WST2N7002K适用于广泛的电路板设计,可以轻松集成到现有的系统中。
    - 支持:Winsok提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用产品的性能和功能。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过温问题?
    - A: 可以通过使用散热片或散热器来降低器件温度,或者优化散热路径以提高散热效率。

    - Q:开关过程中的噪声问题如何解决?
    - A: 使用适当的栅极电阻和滤波电容可以减少开关噪声。优化PCB布局也有助于减小噪声。

    总结和推荐


    综上所述,WST2N7002K是一款高性能、紧凑型的N通道MOSFET,适用于多种电力转换应用。其出色的导通电阻和高速开关能力使其成为市场上的一流产品。推荐使用WST2N7002K在需要高效能、紧凑设计和高可靠性的应用中。

WST2N7002K参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 3Ω@10V,500mA
Id-连续漏极电流 300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 200mW
通用封装 SOT-23L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST2N7002K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WST2N7002K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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150+ ¥ 0.2299
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3000+ ¥ 0.1658
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