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WSP4406

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3.1W 2.5V@ 250uA 30V 12mΩ@ 10V,12A 12A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WSP4406 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4406

WSP4406概述

    电子元器件产品技术手册解析
    本文将详细介绍一款名为WSP4406的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的技术手册内容,包括产品简介、技术参数、产品特点和优势、应用案例和使用建议、兼容性和支持、常见问题与解决方案等内容。

    1. 产品简介


    WSP4406是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度。该产品主要用于高频点对点同步降压转换器(用于移动计算、网络和图形应用),网络直流到直流电源系统和负载开关。其主要功能是在各种高效率电源管理场景中提供低导通电阻(Rdson)和低栅极电荷,以满足高性能电源系统的需求。

    2. 技术参数


    - 基本电气特性
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏电流(ID@TC=25℃):12 A
    - 连续漏电流(ID@TC=70℃):10 A
    - 脉冲漏电流(IDM):40 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):25 mJ
    - 雪崩电流(IAS):23 A
    - 总功耗(PD@TA=25℃):3.1 W
    - 热参数
    - 结温(TJ)范围:-55至150℃
    - 存储温度(TSTG)范围:-55至150℃
    - 热阻(RθJA):1至65℃/W
    - 热阻(RθJC):1至20℃/W

    3. 产品特点和优势


    WSP4406拥有以下独特功能和优势:
    - 先进的高密度沟槽技术:提供了极低的Rdson和栅极电荷。
    - 优秀的CdV/dt效果下降:降低了导通和关断时的电压变化率。
    - 100% EAS保证:确保了产品的可靠性。
    - 绿色环保设备可用:符合RoHS标准。
    这些特点使其适用于需要高效能、低损耗的应用场景,如高频点对点同步降压转换器和网络直流到直流电源系统。

    4. 应用案例和使用建议


    WSP4406广泛应用于移动计算、网络和图形应用中的高频点对点同步降压转换器,以及其他需要高效能电源管理的场景。根据技术手册中的典型特性曲线,可以发现该产品在各种工作条件下都能表现出色。
    - 使用建议
    - 在设计电路时,应考虑热管理,特别是在高温环境下。
    - 确保正确选择栅极驱动电阻,以避免过高的栅极电压波动。

    5. 兼容性和支持


    WSP4406与多种其他电子元器件兼容,适用于不同的电源管理系统。制造商提供了详细的技术支持,包括使用手册、应用指南和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的栅极电压导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:合理设置栅极电阻,限制栅极电压峰值。

    - 问题2:过高的功耗导致温度过高。
    - 解决方案:加强散热措施,如增加散热片或采用散热风扇。

    7. 总结和推荐


    WSP4406凭借其高性能、低损耗和优秀的温度特性,成为高频电源管理系统的理想选择。其广泛的适用性和卓越的可靠性使其在市场上具备强大的竞争力。强烈推荐在高性能电源管理系统中使用该产品。

WSP4406参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 12A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,12A
FET类型 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 3.1W
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP4406数据手册

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WSP4406封装设计

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