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WSF60N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 20W(Tc) 20V 4V@ 250uA 36nC 2个N沟道 60V 12mΩ@ 10V,20A 60A 2.578nF TO-252-2L
供应商型号: 31M-WSF60N06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF60N06

WSF60N06参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,20A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 20W(Tc)
栅极电荷 36nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.578nF
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252-2L
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

WSF60N06数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF60N06 WSF60N06数据手册

WSF60N06封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.678
10+ ¥ 1.471
30+ ¥ 1.385
100+ ¥ 1.271
500+ ¥ 1.091
1000+ ¥ 1.062
库存: 10468
起订量: 1 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.67
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