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WSF60N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 20W(Tc) 4V@ 250uA 60V 12mΩ@ 10V,20A 60A TO-252-2L
供应商型号: 31M-WSF60N06
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF60N06

WSF60N06概述


    产品简介


    WSF60N06 是一款高性能的Trench技术N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),以其极高的单元密度而闻名,提供了出色的RDS(ON)(导通电阻)和门极电荷,特别适用于同步降压转换器的高频点对点电源系统。该产品符合RoHS和绿色环保要求,保证100%单脉冲雪崩能量,全面通过可靠性测试。
    主要功能:
    1. 高频率同步降压转换器应用;
    2. 网络电源系统;
    3. LCD/LED背光电源。
    应用领域:
    - 移动计算设备(如MB/NB/UMPC/VGA);
    - 数据中心及网络设备;
    - LCD/LED显示系统。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | WSF60N06 | - | - | 60 | V |
    | 栅源击穿电压(VGS) | WSF60N06 | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(ID, TC=25℃) | WSF60N06 | - | 60 | - | A |
    | 持续漏极电流(ID, TC=100℃) | WSF60N06 | - | 40 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | WSF60N06 | 45 | - | - | mJ |
    | 总功耗(PD, TC=25℃) | WSF60N06 | - | 20 | - | W |
    | 工作温度范围(TJ) | WSF60N06 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | 热阻(RθJA) | WSF60N06 | - | 1 | 62 | ℃/W |

    产品特点和优势


    产品特点:
    1. 先进的高单元密度Trench技术:确保较低的导通电阻RDS(ON)与较低的导通功耗;
    2. 超低栅极电荷:有效减少开关损耗;
    3. 优秀的CdV/dt效应抑制:提供稳定的开关性能;
    4. 100% EAS保证:具备卓越的单脉冲雪崩耐受能力;
    5. 绿色环保设计:符合RoHS标准。
    市场竞争力:
    - 低功耗:RDS(ON)低至10mΩ,适合高效能电源转换;
    - 优异的热性能:RθJA仅为62℃/W,可满足高频运行需求;
    - 多功能兼容:适用于多种终端设备,如移动设备和网络系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑(Notebook)的直流-直流电源转换;
    - 数据中心的高速网络设备供电;
    - LED背光电源驱动。
    使用建议:
    1. 选择合适的散热管理方案:在高温环境下工作时,建议添加外部散热片以降低热阻,提高可靠性和使用寿命;
    2. 优化电路设计:通过合理分配负载电流来防止过流情况,例如限制输入功率不超过150℃结温范围;
    3. 保护电路设计:增加输入滤波电容,减缓开关瞬间电流冲击。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF60N06与大多数主流PCB设计工具兼容,便于集成到现有电路板中;
    - 技术支持:Winsok提供详尽的技术文档和应用指南,同时支持客户定制化服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过高功耗导致结温异常 | 添加散热片并优化散热路径; |
    | 开关波形不理想 | 调整栅极电阻值以改善上升沿时间; |
    | 雪崩耐久性不足 | 确保电路设计中预留足够的雪崩保护; |

    总结和推荐


    综合评估:
    WSF60N06作为一款高性能N沟道MOSFET,在高效能同步降压转换器领域表现优异。其出色的导通电阻和超低栅极电荷使其成为高性能、低功耗应用的理想选择。
    推荐结论:
    强烈推荐WSF60N06用于高效率、高可靠性的电子设备中,尤其是在高频、高功率的应用场景下。无论是笔记本电脑、数据中心还是LED背光驱动领域,该产品都能提供卓越的性能表现。

WSF60N06参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V,20A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 60A
最大功率耗散 20W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252-2L
包装方式 卷带包装

WSF60N06数据手册

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WSF60N06封装设计

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10+ ¥ 1.471
30+ ¥ 1.385
100+ ¥ 1.271
500+ ¥ 1.091
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