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WSD40120DN56G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 45nC@ 10V 1.4mΩ@ 10V,20A 120A DFN5X6-8L
供应商型号: 31M-WSD40120DN56G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD40120DN56G

WSD40120DN56G概述

    WSD40120DN56G N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSD40120DN56G 是一款先进的 N-Channel MOSFET,采用了先进的 SGT(超薄栅极技术)来提供低 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷、快速开关和卓越的雪崩特性。这款 MOSFET 特别设计用于增强坚固性,适用于消费电子产品电源供应、同步整流等多种应用领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - Drain-Source Voltage (VDS): 40 V
    - Gate-Source Voltage (VGS): ±20 V
    - Drain-Source Breakdown Voltage (BVDSS): 40 V
    - Maximum Continuous Drain Current (ID@TC=25℃): 120 A
    - Maximum Continuous Drain Current (ID@TC=100℃): 82 A
    - Pulsed Drain Current (IDM): 400 A
    - Single Pulse Avalanche Energy (EAS): 400 mJ
    - Avalanche Current (IAS): 40 A
    - 温度参数
    - Total Power Dissipation (PD@TC=25℃): 125 W
    - Storage Temperature Range (TSTG): -55 to 150 ℃
    - Operating Junction Temperature Range (TJ): -55 to 150 ℃
    - 热阻参数
    - Thermal Resistance Junction-Ambient (RθJA): 50 ℃/W
    - Thermal Resistance Junction-Case (RθJC): 1.0 ℃/W
    - 其他电气参数
    - Static Drain-Source On-Resistance (RDS(ON)): 1.4 mΩ (Typ.)
    - Gate Threshold Voltage (VGS(th)): 1.2 to 2.2 V
    - Forward Transconductance (gfs): 53 S (Typ.)
    - Total Gate Charge (Qg): 45 nC
    - Gate-Source Charge (Qgs): 12 nC
    - Gate-Drain Charge (Qgd): 18.5 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(ON)): 典型值仅为 1.4 mΩ,确保了高效率和低功耗。
    2. 高速开关特性: 快速的开关时间(如 Turn-On Delay Time 为 18.5 ns),适用于高频应用。
    3. 优越的稳定性: 在广泛的温度范围内保持出色的稳定性和一致性。
    4. 卓越的雪崩特性: 能够承受高达 400 mJ 的单脉冲雪崩能量。
    5. 低栅极电荷: 极低的栅极电荷有助于减少开关损耗。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 消费电子产品电源供应
    - 同步整流应用
    使用建议:
    - 在高频应用中,可以充分利用其低栅极电荷特性,提高系统的整体效率。
    - 在高功率应用中,应注意散热管理,以避免过热问题。可考虑使用外部散热片或增加散热通道。
    - 当应用于宽温度范围时,需注意温度对阈值电压的影响。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 可与其他标准的 DFN5X6-8 封装的电子元器件兼容。厂商提供了详尽的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答。建议在设计初期与厂商代表联系,获取更详细的指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 使用散热器或改善散热路径,降低环境温度 |
    | 过载保护电路未正常工作 | 检查接线和参数设置,确保负载不超过额定值 |
    | 阈值电压变化大 | 确保所有连接都正确且无氧化,重新检查焊接质量 |

    总结和推荐


    WSD40120DN56G 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、高速开关和卓越的稳定性等优点。它适用于多种电力转换应用,特别是在高频和高可靠性要求的应用中表现出色。尽管价格较高,但由于其优异的性能和稳定性,我们强烈推荐将其作为首选产品。

WSD40120DN56G参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 45nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 10V,20A
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 DFN5X6-8L

WSD40120DN56G数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD40120DN56G WSD40120DN56G数据手册

WSD40120DN56G封装设计

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