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WSF70N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 113W(Tc) 4V@ 250uA 100V 13mΩ@ 10V,30A 70A TO-252-2
供应商型号: WSF70N10 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF70N10

WSF70N10概述

    电子元器件产品技术手册:WSF70N10 N-Channel MOSFET

    产品简介


    WSF70N10是一款高性能的沟槽型N通道MOSFET,适用于多种电源管理及转换应用。该器件具有高密度单元结构,提供了优异的RDSON(导通电阻)和栅极电荷特性,适合大多数同步降压转换器应用。此外,它符合RoHS标准,具备绿色环保特性。

    技术参数


    以下是WSF70N10的主要技术参数:
    - VDS (Drain-Source电压): 100 V
    - VGS (Gate-Source电压): ±25 V
    - ID@TC=25℃ (连续漏电流): 70 A
    - ID@TC=100℃ (连续漏电流): 35 A
    - ID@TA=25℃ (连续漏电流): 8.2 A
    - ID@TA=70℃ (连续漏电流): 6.6 A
    - IDM (脉冲漏电流): 150 A
    - EAS (雪崩能量): 169 mJ
    - IAS (雪崩电流): 26 A
    - PD@TC=25℃ (总功率耗散): 113 W
    - PD@TC=100℃ (总功率耗散): 45 W
    - TSTG (存储温度范围): -55 to 150 ℃
    - TJ (工作结温范围): -55 to 150 ℃
    - RθJA (热阻): 1 - 50 ℃/W
    - RθJC (结-壳热阻): 1 - 1.1 ℃/W

    产品特点和优势


    WSF70N10具有以下几个显著特点和优势:
    - 先进的高密度沟槽技术:提供低RDSON和高可靠性。
    - 超低栅极电荷:降低开关损耗,提高效率。
    - 卓越的CdV/dt效果衰减:减少开关过程中的振铃效应。
    - 100% EAS保证:确保设备的安全可靠运行。
    - 绿色环保设计:符合RoHS标准,无铅化生产。

    应用案例和使用建议


    WSF70N10广泛应用于以下领域:
    - 电视转换器的电源管理
    - DC-DC转换器
    - LED电视背光
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,避免超过最大额定值。
    - 避免长时间工作在极限温度下,以免影响使用寿命。

    兼容性和支持


    WSF70N10具有良好的兼容性,可以与其他常见的电源管理设备配合使用。制造商提供全面的技术支持,包括安装指南、维护手册和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及其解决方法:
    - 问题:设备过热
    - 解决方案:增加外部散热片或风扇进行散热。
    - 问题:性能下降
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,避免电流过大导致热应力。

    总结和推荐


    总体而言,WSF70N10是一款性能出色且高度可靠的N通道MOSFET。其优秀的RDSON、低栅极电荷以及高温度稳定性使其成为电源管理和转换应用的理想选择。鉴于其卓越的性能和广泛应用,我们强烈推荐将其用于需要高效能和高可靠性的系统中。

WSF70N10参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
Id-连续漏极电流 70A
最大功率耗散 113W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 10V,30A
通用封装 TO-252-2
包装方式 卷带包装

WSF70N10数据手册

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