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WST3415

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 1V@ 250uA 20V 54mΩ@ 4.5V,3A 5.5A SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2066 SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3415

WST3415概述

    WST3415 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WST3415 是一款高性能的沟槽式 P 沟道 MOSFET,以其极高的单元密度著称,特别适用于小功率开关和负载开关应用。其卓越的 RDS(ON) 和栅极电荷特性使其成为高频点对点同步降压转换器、网络 DC-DC 电源系统等领域的理想选择。此外,WST3415 符合 RoHS 和绿色环保产品要求,确保其在可靠性方面全面达标。

    技术参数


    以下是 WST3415 的关键技术和性能参数:
    - 电压参数
    - 漏源电压 (VDS):-20V
    - 栅源电压 (VGS):±12V
    - 电流参数
    - 在 TC=25℃ 下连续漏极电流 (ID):-5.5A
    - 在 TC=70℃ 下连续漏极电流 (ID):-3.0A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-17A
    - 功率参数
    - 总功率耗散 (PD):1.0W(TA=25℃)
    - 温度参数
    - 存储温度范围:-55 至 150℃
    - 工作结温范围:-55 至 150℃
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻 (RθJA):110℃/W
    - 结到外壳热阻 (RθJC):70℃/W
    - 其他参数
    - 导通电阻 (RDS(ON)):典型值 44mΩ(VGS=-4.5V,ID=-3A)
    - 开启延迟时间 (Td(on)):典型值 2.7ns(VDD=-10V,VGS=-4.5V)
    - 关闭延迟时间 (Td(off)):最大值 78ns

    产品特点和优势


    WST3415 的核心优势体现在以下几个方面:
    - 先进的高密度沟槽技术:提供了极低的导通电阻和优秀的栅极电荷性能。
    - 低栅极电荷:减少开关损耗,提高效率。
    - 出色的 dv/dt 抑制能力:降低电磁干扰。
    - 环保设计:符合 RoHS 和绿色环保标准。
    - 高可靠性:全功能可靠性和稳定性测试通过,适合长期运行。

    应用案例和使用建议


    WST3415 主要应用于以下领域:
    - 高频点对点同步降压转换器(如移动便携设备、主板和超便携电脑)。
    - 网络 DC-DC 电源系统。
    - 信号处理和电容负载切换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保电源输入和输出电压在额定范围内,避免过载运行。
    - 使用热管理措施以控制结温,确保 RθJA 不超过 110℃/W。
    - 配合合适的栅极驱动电路,优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    WST3415 与其他电子元器件具有良好的兼容性,可轻松集成到现有的设计中。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括样品申请、技术文档下载和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的常见问题及解决方案:
    1. 问题:器件过热。
    解决方案:检查散热设计,确保热阻符合要求。
    2. 问题:开关速度慢。
    解决方案:优化栅极驱动电路,减少外部寄生电感。
    3. 问题:漏电流过大。
    解决方案:确认 VDS 和 VGS 电压正确设置,并确保周围电路无异常。

    总结和推荐


    综上所述,WST3415 是一款高效能、低成本且绿色环保的 P 沟道 MOSFET,非常适合高频开关和负载开关应用。其卓越的性能、可靠性以及兼容性使其在市场上具有很强的竞争优势。如果您需要一款满足高频率和小尺寸需求的产品,WST3415 将是一个值得推荐的选择。

WST3415参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 54mΩ@ 4.5V,3A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 1W
Id-连续漏极电流 5.5A
配置 -
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3415数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3415 WST3415数据手册

WST3415封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3828
50+ ¥ 0.3603
150+ ¥ 0.3216
500+ ¥ 0.241
3000+ ¥ 0.232
9000+ ¥ 0.2252
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