处理中...

首页  >  产品百科  >  WST6003

WST6003

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WST2032 SOT-523
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST6003

WST6003概述

    # WST6003 P-Ch MOSFET 技术手册

    产品简介


    WST6003 是一款由Winsok半导体有限公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它特别适用于高侧开关、电池供电系统及电源转换电路等多种应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻(低至1.2Ω)、低阈值电压(典型值为0.8V)和高速开关速度(典型值为14ns),使其成为各种高要求应用的理想选择。

    技术参数


    以下是WST6003的主要技术规格和性能参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | -20 -20 | V |
    | VGS | 栅源电压 | -6 | ±6 | +6 | V |
    | ID | 连续漏电流 | -0.35 | -0.35 | -0.4 | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 -1 | A |
    | PD | 总功耗 0.15 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 热阻(结-环) 125 | ℃/W |
    | RθJC | 热阻(结-壳) 80 | ℃/W |

    产品特点和优势


    特点
    - TrenchFET™ 功率MOSFET:1.8V 额定
    - 栅源ESD保护:2000V
    - 高侧开关
    - 低导通电阻:1.2Ω
    - 低阈值电压:0.8V(典型值)
    - 快速开关速度:14ns
    - 符合AEC-Q101标准
    - 易于驱动开关
    - 低偏移(误差)电压
    - 低电压操作
    - 高速电路
    - 低电池电压操作
    优势
    - 适应性强:适用于汽车和其他需要特殊需求的应用。
    - 可靠性高:设计上保证了高度可靠性和稳定性。
    - 性能卓越:优秀的电气特性和热管理能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 驱动继电器、螺线管、灯泡、锤子、显示器、存储器
    - 电池驱动系统
    - 电源转换电路
    - 手机、传呼机中的负载/功率切换
    使用建议
    - 合理散热:由于WST6003的热阻较高(125℃/W),建议采用良好的散热措施以确保长时间稳定运行。
    - 负载管理:根据具体应用场景调整负载大小,避免过载导致损坏。
    - 温度控制:避免长时间处于极端温度环境中,以减少因温度波动引起的性能变化。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与多种电子元器件和设备兼容,特别是在高侧开关和电池供电系统中表现出色。
    - 支持:Winsok提供详尽的技术支持和售后服务,包括设计咨询和技术文档支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确连接栅源电压?
    - 解决方法:确保VGS在±6V之间,以防止ESD损坏。
    2. 如何避免过热?
    - 解决方法:使用适当的散热器,并确保良好的空气流通。
    3. 如何确保长期稳定运行?
    - 解决方法:避免超出额定参数的使用条件,如温度、电压和电流。

    总结和推荐


    综合评估
    WST6003是一款出色的P沟道增强型MOSFET,具备多种优势,如低导通电阻、快速开关速度和广泛的适用性。其设计考虑到了高性能和可靠性,非常适合应用于高要求的工业和消费电子领域。
    推荐
    基于上述分析,我们强烈推荐使用WST6003 MOSFET。其卓越的性能和可靠性使其成为市场上同类产品的优选。然而,为了确保最佳效果,请务必遵循正确的安装和使用指南,特别是注意散热和避免过载问题。

WST6003参数

参数
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-523-3L

WST6003数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST6003 WST6003数据手册

WST6003封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.2602
50+ ¥ 0.2582
150+ ¥ 0.2534
500+ ¥ 0.2437
3000+ ¥ 0.2413
9000+ ¥ 0.2366
库存: 88
起订量: 5 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 1.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336