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WSD50P10DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 56nC@ 10V 32mΩ@ 10V,18A 34A DFN5X6-8L
供应商型号: WSD50P10DN56 DFN5X6-8L
供应商: 期货订购
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD50P10DN56

WSD50P10DN56概述

    WSD50P10DN56 P-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD50P10DN56 是一款高性能的沟槽式 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度。这款 MOSFET 为工业 DC/DC 转换器提供电源管理解决方案。它特别适用于同步降压转换器应用,并且符合 RoHS 和绿色产品标准,确保了全功能可靠性。

    2. 技术参数


    - 漏源电压(VDS):-100 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏电流(ID):
    - TC=25℃:-34 A(-VGS @ -10V)
    - TC=100℃:-22 A(-VGS @ -10V)
    - 脉冲漏电流(IDM):-136 A
    - 单脉冲雪崩能量(EASc):182 mJ
    - 雪崩电流(IAS):-27 A
    - 总功耗(PD):
    - TC=25℃:96 W
    - 存储温度范围(TSTG):-55 至 150 ℃
    - 工作结温范围(TJ):-55 至 150 ℃
    - 热阻(RθJA):60 ℃/W(结至环境)
    - 热阻(RθJC):1.3 ℃/W(结至外壳)

    3. 产品特点和优势


    - 先进的高单元密度沟槽技术
    - 超低栅电荷
    - 出色的CdV/dt效应下降
    - 100% EAS保证
    - 绿色环保设备可选
    这些特性使得 WSD50P10DN56 在高效电源管理和高温环境下表现出色,具有显著的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    WSD50P10DN56 适用于工业 DC/DC 转换器,特别是在同步降压转换器应用中。在设计电路时,应注意:
    - 散热设计:由于较高的功耗,需要良好的散热设计,以避免温度过高导致器件损坏。
    - 栅极驱动:由于超低栅电荷,可以实现高效的栅极驱动,减少损耗。
    - 负载适应性:可以适应不同的负载条件,确保在不同工作状态下的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    WSD50P10DN56 可以与各种工业标准电路板和其他电子元件兼容。制造商提供了详尽的技术支持和维护信息,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下功耗过高
    - 解决方案:增加散热片或采用更好的散热材料,改善散热效果。
    2. 问题:栅极驱动不稳定
    - 解决方案:优化栅极驱动电路,确保驱动信号的稳定性。
    3. 问题:温度超出工作范围
    - 解决方案:监测并控制工作温度,避免超过规定的最大值。

    7. 总结和推荐


    WSD50P10DN56 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,适合于工业 DC/DC 转换器和同步降压转换器的应用。其先进的技术特性和优良的可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。综合考虑其性能和适用范围,强烈推荐在相关应用中使用该产品。
    通过合理的设计和应用,WSD50P10DN56 将能够在各种严苛的环境中稳定工作,满足用户的高要求。

WSD50P10DN56参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 56nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 10V,18A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 34A
通用封装 DFN5X6-8L

WSD50P10DN56数据手册

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WSD50P10DN56封装设计

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15000+ ¥ 2.8588
25000+ ¥ 2.7731
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