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WST3400S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 1V@ 250uA 30V 32mΩ@ 4.5V,5A 5.6A SOT-23L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST3400S SOT-23N
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3400S

WST3400S概述

    # WST3400S N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    WST3400S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用先进的深沟槽技术,具备极高的单元密度,能够提供极低的导通电阻(RDS(ON))和门极电荷(Qg),特别适用于小功率开关和负载开关的应用场景。该产品符合 RoHS 和绿色环保标准,并通过全面的功能可靠性测试。
    主要功能
    - 高频点对点同步降压转换
    - 小型功率开关,应用于移动笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人电脑(UMPC)和显卡(VGA)
    - 网络 DC-DC 电源系统
    - 负载开关
    应用领域
    - 笔记本电脑和台式机电源管理
    - 通信设备中的 DC-DC 转换器
    - 消费电子设备的小型开关电源

    技术参数


    以下是 WST3400S 的关键技术参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 30 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 V |
    | ID@Tc=25℃ | 连续漏极电流 5.6 A |
    | ID@Tc=70℃ | 连续漏极电流 4.2 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 18 | A |
    | PD@TA=25℃ | 总耗散功率 1 W |
    | PD@TA=70℃ | 总耗散功率 0.64 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RDS(ON) | 导通电阻(典型值) 27 | 32 | mΩ |
    | Qg(TYP) | 总门极电荷(典型值) 5.5 | 8.4 | nC |
    其他特性:
    - 门极电荷:低至 5.5 nC(典型值)
    - 导通电阻与结温的关系曲线显示其在高温下依然保持优异性能
    - 反向恢复时间短,优化高频开关性能

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    1. 高集成度:采用先进深沟槽技术,大幅提高单元密度,降低 RDS(ON) 和 Qg。
    2. 出色的热管理能力:优秀的 RθJA 热阻值(典型值为 125 ℃/W),有效控制结温升高。
    3. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 150℃ 的存储和操作温度,适合极端环境。
    4. 绿色环保:RoHS 和绿色产品认证,满足环保要求。
    5. 快速开关性能:优化的门极电荷和反向恢复时间,特别适合高频应用。
    市场竞争力
    - 出色的 RDS(ON) 和 Qg 性能使其在同类小功率 MOSFET 中具有明显优势。
    - 高频率、高效率的开关特性,非常适合紧凑型电路设计。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    1. 笔记本电脑电源适配器:利用其高频率特性,减少体积并提升能效。
    2. 网络路由器中的 DC-DC 转换器:提供稳定的电源供应,减少信号干扰。
    3. 智能手机快充模块:快速响应并支持大电流输出。
    使用建议
    - 散热设计:由于最高功耗为 1W(典型值),建议使用合适的散热片以确保长时间稳定运行。
    - 负载电流匹配:根据实际应用需求选择适当的栅极驱动电阻(RG),推荐范围为 2.5 至 5 Ω。
    - 过温保护:设计时需考虑结温监控机制,避免超过 150℃ 的上限。

    兼容性和支持


    兼容性
    - WST3400S 采用 SOT-23N 封装,通用性强,易于与其他电子元件集成。
    - 兼容多种主流 PCB 设计工具,方便工程应用。
    厂商支持
    - 完整的技术文档和支持服务,可通过 Winsok 官网下载相关资料。
    - 客户技术支持团队随时解答技术问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 确保 VGS 设置正确,避免超过最大额定值。 |
    | 开关速度慢 | 检查门极电荷参数,优化栅极驱动电路。 |
    | 结温超标 | 改善散热设计,增加散热片或空气流通。 |

    总结和推荐


    综合评估
    WST3400S 在多个关键指标上表现出色,特别是在导通电阻和门极电荷方面。其高集成度、宽工作温度范围和绿色环保特性,使其成为高性能小功率开关的理想选择。此外,丰富的技术支持和良好的兼容性进一步提升了其市场竞争力。
    推荐使用
    强烈推荐在高频开关电源、负载开关和 DC-DC 转换器等应用中使用 WST3400S。它不仅能提升系统效率,还能显著简化电路设计。
    如需进一步了解 WST3400S 的详细信息,请访问 [Winsok 官网](www.winsok.tw) 或联系技术支持团队。

WST3400S参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 4.5V,5A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 1W
Id-连续漏极电流 5.6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOT-23L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3400S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WST3400S封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3322
50+ ¥ 0.3126
150+ ¥ 0.279
500+ ¥ 0.2091
3000+ ¥ 0.2013
9000+ ¥ 0.1954
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