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WSD2050DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 28W(Tc) 1V@ 250uA 20V 14mΩ@ 10V,7A 40A DFN-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD2050DN DFN3*3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2050DN

WSD2050DN概述


    产品简介


    WSD2050DN 是一款高性能的N沟道MOSFET,专为高频点负载同步降压转换器、网络直流-直流电源系统、负载开关等应用设计。该产品采用了先进的高密度沟槽技术,具备出色的低栅极电荷特性和优异的反向恢复特性,符合RoHS和绿色产品标准。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | 20 | V |
    | 栅源电压 | ±12 | V |
    | 持续漏极电流(VGS=10V) | 25℃时 40 / 100℃时 28 | A |
    | 脉冲漏极电流 | 85 | A |
    | 雪崩电流 | 14 | A |
    | 总功率耗散 | 28 | W |
    | 工作结温范围 | -55至150 | ℃ |
    | 热阻(结到环境)| 70 / 50(≤10s) | ℃/W |
    | 热阻(结到壳体)| 4.7 | ℃/W |
    | 导通电阻(VGS=10V,ID=7A) | 8.2 | mΩ |
    | 阈值电压 | 0.4至1.0 | V |
    | 栅源泄漏电流 | ±100 | nA |
    | 输入电容 | 1200 | pF |
    | 输出电容 | 1000 | pF |
    | 反向传输电容 | 200 | pF |

    产品特点和优势


    WSD2050DN 的显著特点包括:
    - 极高的单元密度:能够提供卓越的导通电阻和栅极电荷,适用于大多数同步降压转换器应用。
    - 优秀的雪崩特性:100%保证的极端电流承受能力。
    - 绿色环保:符合RoHS和绿色产品标准。
    - 超低栅极电荷:提升系统的整体效率。
    - 优秀的CdV/dt效果下降:减小了开关损耗。
    - 全面的功能可靠性:经过严格的测试,确保稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WSD2050DN 广泛应用于高频点负载同步降压转换器,特别是在移动便携式设备(如笔记本电脑、平板电脑)中作为电源管理芯片的一部分。此外,它还用于网络设备中的直流-直流电源系统,以及作为负载开关来控制电路的通断。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时,注意散热问题。WSD2050DN的热阻较低,但在高负载情况下仍需良好的散热措施。
    2. 设计电路时,考虑其低栅极电荷特性,可以有效减少开关损耗,提高整体能效。
    3. 确保电路中加入适当的保护措施,避免因过流或其他故障导致的损坏。

    兼容性和支持


    WSD2050DN 与同类N沟道MOSFET具有良好的互换性。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括产品的安装指南、典型应用电路和详细的故障排除步骤。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过热问题?
    - 解决方案:确保散热片和散热路径的设计合理,或者在电路中添加风扇等冷却装置,以维持合适的温度。
    2. 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据驱动信号的频率和所需的开关速度来选择合适的栅极电阻(Rg),以优化整体性能。
    3. 问题:如何检测MOSFET的雪崩特性?
    - 解决方案:使用专门的测试设备进行雪崩试验,确保在极端条件下MOSFET能够正常工作。

    总结和推荐


    WSD2050DN 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备出色的导通电阻和栅极电荷特性,适合高频应用和恶劣环境下的长期运行。其独特的技术和稳定性使其在众多应用中表现出色,特别适用于移动便携式设备和网络基础设施。总体而言,强烈推荐使用这款产品,尤其对于需要高可靠性和高性能的应用场景。

WSD2050DN参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 10V,7A
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 28W(Tc)
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装

WSD2050DN数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD2050DN WSD2050DN数据手册

WSD2050DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.3222
50+ ¥ 1.2445
150+ ¥ 1.1106
500+ ¥ 0.8322
5000+ ¥ 0.8011
15000+ ¥ 0.7778
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