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WSD2012DN25

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1.7W 1V@ 250uA 20V 9.5mΩ@ 4.5V,5.5A 11A DFN2X5-6S 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2097 DFN2X5-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2012DN25

WSD2012DN25概述

    WSD2012DN25 高效沟槽型 N 沟道 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WSD2012DN25 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,具有极高单元密度,适用于小型功率开关和负载开关应用。它符合RoHS和绿色环保标准,并通过全面的功能可靠性认证。这款MOSFET广泛应用于便携式和电池供电产品中的电源管理、DC-DC电源系统等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS(漏源电压) 20 | V |
    | VGS(栅源电压) ±12 V |
    | ID(连续漏电流) 11 A |
    | IDM(脉冲漏电流) 95 | A |
    | PD(总功耗) 1.7 W |
    | RθJA(热阻) 75 ℃/W |
    | BVDSS(击穿电压) 20 V |
    | RDS(ON)(导通电阻)| 5.0 9.5 | mΩ |
    | VGS(th)(门限电压)| 0.3 | 0.65 | 1.0 | V |
    | Qg(总栅极电荷) | 10 15 | nC |
    | TSTG(存储温度范围)| -55 150 | ℃ |
    | TJ(工作结温范围) | -55 150 | ℃ |

    3. 产品特点和优势


    WSD2012DN25 的主要特点包括:
    - 高密度单元:采用先进的高密度沟槽技术,提供卓越的 RDS(ON) 和栅极电荷性能。
    - 低栅极电荷:拥有超低栅极电荷,提高开关效率。
    - 优异的dv/dt特性:能有效降低瞬态dv/dt效应。
    - 绿色环保:采用绿色材料制造,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    WSD2012DN25 广泛应用于便携式和电池供电设备的电源管理中。例如,在便携式设备中作为高效电源开关使用时,建议在电路设计中考虑散热问题,以避免过热。此外,为了优化开关性能,可以使用较低的栅极驱动电压(如4.5V),以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    WSD2012DN25 与其他标准电气特性的MOSFET具有良好的兼容性,可方便地集成到现有的电路设计中。厂商提供了详细的技术文档和支持,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热保护 | 确保电路设计合理,使用散热片或风扇增加散热能力。 |
    | 开关速度慢 | 降低栅极电阻,增加栅极驱动电压,优化驱动信号。 |
    | 漏电流异常 | 检查电路板布局,确保焊接质量,重新测试。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,WSD2012DN25 是一款性能卓越、适用于多种应用场合的MOSFET。其高密度单元、低栅极电荷和绿色环保特性使其在市场上具备较强的竞争优势。对于需要高效、可靠的电源管理和负载开关应用,强烈推荐使用 WSD2012DN25。

WSD2012DN25参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 1.7W
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 4.5V,5.5A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 11A
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通用封装 DFN2X5-6S
安装方式 贴片安装

WSD2012DN25数据手册

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WSD2012DN25封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.2222
50+ ¥ 1.1502
150+ ¥ 1.0266
500+ ¥ 0.7692
2000+ ¥ 0.7405
6000+ ¥ 0.7189
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