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WSD2012DN25

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1.7W 12V 1V@ 250uA 2个N沟道 20V 9.5mΩ@ 4.5V,5.5A 11A 1.511nF DFN2X5-6S 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2097 DFN2X5-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2012DN25

WSD2012DN25参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 4.5V,5.5A
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.511nF
最大功率耗散 1.7W
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 11A
通用封装 DFN2X5-6S
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

WSD2012DN25数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD2012DN25 WSD2012DN25数据手册

WSD2012DN25封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.2222
50+ ¥ 1.1502
150+ ¥ 1.0266
500+ ¥ 0.7692
2000+ ¥ 0.7405
6000+ ¥ 0.7189
库存: 83
起订量: 5 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 6.11
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