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WSF25N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 113W 2.5V@ 250uA 200V 75mΩ@ 10V,12A 25A TO-252-2L
供应商型号: WSF25N20 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF25N20

WSF25N20参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 113W
FET类型 -
Id-连续漏极电流 25A
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V,12A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
通用封装 TO-252-2L

WSF25N20数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF25N20 WSF25N20数据手册

WSF25N20封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.765
7500+ ¥ 2.68
库存: 86156
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 6912.5
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