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WST3414

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 1V@ 250uA 20V 30mΩ@ 4.5V,4A 6A SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 14M-WST2052 SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3414

WST3414概述

    # WST3414 N-Ch MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    WST3414 是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,适用于高频率的小功率开关和负载开关应用。它具有极高的单元密度,能够提供出色的RDS(ON)(导通电阻)和栅极电荷,从而保证高效能的工作状态。此外,WST3414 符合RoHS标准,是一款绿色产品,适合多种应用场合。
    主要功能
    - 极高的单元密度
    - 低导通电阻(RDS(ON))
    - 低栅极电荷
    - 高频点对点同步整流
    - 小功率开关应用
    - 负载开关应用
    应用领域
    - 小型功率开关
    - 网络DC-DC电源系统
    - 主板/笔记本/UMPC/VGA设备
    - 负载开关

    2. 技术参数


    电气特性
    | 参数符号 | 参数描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | 20 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±12 V |
    | ID@Tc=25℃ | 连续漏电流(VGS=4.5V) | 6.0 A |
    | ID@Tc=70℃ | 连续漏电流(VGS=4.5V) | 4.8 A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | 20 A |
    | PD@TA=25℃ | 总耗散功率 | 1 W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    热阻参数
    | 参数符号 | 参数描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | RθJA | 结-环境热阻 125 ℃/W |
    | RθJC | 结-外壳热阻 80 ℃/W |

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 高密度沟槽技术:提高效率和可靠性
    - 低栅极电荷:减少功耗,提高开关速度
    - 优秀的Cdv/dt效应下降:稳定性能
    - 可用绿色器件
    优势
    - 高效能的小功率开关和负载开关应用
    - 极高的单元密度
    - 优异的RDS(ON)和栅极电荷
    - 高可靠性,符合RoHS和绿色环保要求

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 小型功率开关
    - 网络DC-DC电源系统
    - 负载开关
    使用建议
    - 在高频点对点同步整流应用中,确保电源设计考虑到RDS(ON)和栅极电荷的特性,以优化效率和减少发热。
    - 对于高负载电流应用,建议采用良好的散热设计,如使用散热片或散热器。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    WST3414可以与其他标准电路板和电源系统兼容。建议在具体应用前进行电气特性测试。
    支持信息
    Winsok公司提供详尽的技术支持和售后保障,帮助客户解决应用中的任何问题。建议联系当地销售代表获取更多支持。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过热问题:如何避免过热?
    - 解决方案:使用散热片或散热器,确保良好的空气流通。
    2. 栅极泄漏电流过高:如何降低栅极泄漏电流?
    - 解决方案:检查连接和焊点是否良好,使用高质量的材料。
    3. 反向恢复时间长:如何缩短反向恢复时间?
    - 解决方案:优化电路设计,选择合适的外部元件,例如低ESR电容器。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    WST3414 在高密度单元和低导通电阻方面表现出色,非常适合高频率的小功率开关和负载开关应用。它的低栅极电荷特性提高了整体效率,减少了功耗。
    推荐
    鉴于其出色的性能和可靠性,强烈推荐WST3414用于需要高效率和低功耗的应用场合。在使用过程中,建议严格遵守安全操作规范,以确保系统的稳定运行。

WST3414参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 4.5V,4A
通道数量 -
最大功率耗散 1W
Id-连续漏极电流 6A
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250uA
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3414数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3414 WST3414数据手册

WST3414封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.3234
50+ ¥ 0.3043
150+ ¥ 0.2716
500+ ¥ 0.2035
3000+ ¥ 0.1959
9000+ ¥ 0.1902
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