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WSD75100DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 65nC@ 10V 5.3mΩ@ 10V,25A 100A DFN5X6-8L
供应商型号: 31M-WSD75100DN56
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD75100DN56

WSD75100DN56概述


    产品简介


    产品类型和主要功能
    WSD75100DN56 是一款高性能的沟槽型 N-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件专为同步降压转换器的应用设计,提供了极高的单元密度,能够实现卓越的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD75100DN56 符合RoHS和绿色产品的要求,具有高可靠性,且经过了100%雪崩能量测试保证。
    应用领域
    WSD75100DN56 主要应用于网络通信中的直流-直流转换器开关,以及通用开关应用。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大 75 V
    - 栅源电压 (VGS):±25 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 TC=25°C 时为 100 A
    - 在 TC=100°C 时为 73 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):最大 400 A
    - 雪崩能量 (EAS):单脉冲,L=0.5mH 时为 155 W
    - 热阻 (RθJA):稳态,到环境的热阻为 60°C/W
    - 最大功耗 (PD):在 TC=25°C 时为 225 W
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):75 V
    - 导通电阻 (RDSON):最大 5.3 mΩ
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 2.0 V 至 4.0 V
    - 总栅电荷 (Qg):65 nC 至 85 nC

    产品特点和优势


    WSD75100DN56 的主要特点是其极高的单元密度,使得它在导通电阻(RDSON)和栅极电荷方面表现出色。此外,它还具有可靠的雪崩性能和绿色环保特性,适用于多种高频开关电源电路。WSD75100DN56 还通过了RoHS标准,适用于需要无铅、环保要求的产品设计。

    应用案例和使用建议


    WSD75100DN56 广泛应用于各类直流-直流转换器开关应用,特别是在网络通信和通用开关应用中。具体应用场景包括但不限于服务器、电信基站、工业控制系统等。在使用过程中,建议保持器件的温度在合理的范围内,以确保其长期稳定运行。此外,使用过程中应注意散热,避免过热导致器件损坏。

    兼容性和支持


    WSD75100DN56 是一种标准封装的N沟道MOSFET,因此可以轻松与其他标准器件配合使用。Winsok公司提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中遇到任何问题都能够得到及时的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:WSD75100DN56 的最高结温是多少?
    - 答:WSD75100DN56 的最大结温为150°C。

    2. 问:WSD75100DN56 的最大栅源泄漏电流是多少?
    - 答:WSD75100DN56 的最大栅源泄漏电流为±100 nA。
    3. 问:如何防止WSD75100DN56 过热?
    - 答:为了防止过热,应确保良好的散热条件,并在实际应用中合理控制工作电流和电压。

    总结和推荐


    WSD75100DN56 是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于各种高频开关电源应用。它具有优秀的导通电阻和栅极电荷特性,同时符合RoHS标准,是一种绿色环保的产品。总体而言,WSD75100DN56 是值得推荐的高品质MOSFET器件。

WSD75100DN56参数

参数
栅极电荷 65nC@ 10V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.3mΩ@ 10V,25A
通用封装 DFN5X6-8L

WSD75100DN56数据手册

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WSD75100DN56封装设计

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