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WSD3069DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 3.5nC@ 10V 15mΩ@ 10V,10A 16A DFN5X6-8L
供应商型号: 14M-WSD3069DN56 DFN5*6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3069DN56

WSD3069DN56概述

    WSD3069DN56 N-Channel and P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WSD3069DN56 是一款高性能的Trench结构N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度。这款MOSFET专为高频点对点同步降压转换器(如移动笔记本、微型计算机和个人数字助理等)设计,适用于网络直流-直流电源系统和冷阴极荧光灯背光逆变器等领域。该产品符合RoHS标准,并提供了100% EAS保证。

    技术参数


    以下为WSD3069DN56的主要技术参数,涵盖电气特性和热特性:
    - 电气特性:
    - 漏源电压(VDSS):N沟道 30V,P沟道 -30V
    - 门限电压(VGS(th)):N沟道 1V~2V,P沟道 1V~2V
    - 漏极连续电流(ID):N沟道 16A,P沟道 -16A
    - 门限电荷(Qg):N沟道 7.1nC,P沟道 19nC
    - 寄生电容(Ciss/Coss/Crss):N沟道 373pF,P沟道 1040pF
    - 热特性:
    - 热阻(RθJA):65°C/W(Junction-to-Ambient)
    - 最大功率耗散(PDSM):20W
    - 工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 先进高密度Trench技术:提供极低的Rdson和优秀的栅极电荷,有助于提高开关频率和降低损耗。
    - 超低栅极电荷:减少驱动器所需的能量,从而提高能效。
    - 出色的CdV/dt效应下降:有效降低电磁干扰(EMI)。
    - 100% EAS保证:确保在突发情况下设备的可靠性。
    - 环保型设备:符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 高频点对点同步降压转换器
    - 网络直流-直流电源系统
    - 冷阴极荧光灯背光逆变器
    使用建议:
    - 为避免过热,建议使用合适的散热器和良好的散热设计。
    - 在高频率应用中,注意寄生电容的影响,选择合适的门电阻以优化切换性能。

    兼容性和支持


    WSD3069DN56 可与常见的电路板和电源模块兼容。Winsok公司提供全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术咨询。如果在使用过程中遇到问题,可联系当地经销商或技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 确保正确安装散热器,检查系统散热设计 |
    | 电磁干扰 | 减少寄生电容的影响,使用合适的门电阻 |
    | 启动延迟时间长 | 优化驱动电路的设计,增加驱动电流 |

    总结和推荐


    WSD3069DN56凭借其高性能、低功耗和高可靠性的特点,在高频开关电源应用中表现出色。适用于移动设备、工业控制和通信设备等领域。考虑到其卓越的热管理和紧凑的尺寸,我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。

WSD3069DN56参数

参数
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 10V,10A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 16A
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 3.5nC@ 10V
通用封装 DFN5X6-8L

WSD3069DN56数据手册

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WSD3069DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.4428
50+ ¥ 1.3579
150+ ¥ 1.2119
500+ ¥ 0.9081
5000+ ¥ 0.8742
15000+ ¥ 0.8487
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