处理中...

首页  >  产品百科  >  WSP08N10

WSP08N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 2.5W 4V@ 250uA 100V 51mΩ@ 10V,7A 7A SOP-8L 贴片安装
供应商型号: 14M-WSP08N10 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP08N10

WSP08N10概述


    产品简介


    WSP08N10 N-Channel MOSFET
    WSP08N10 是一款高性能的沟槽型 N-通道 MOSFET,具备极高的单元密度,旨在为同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。此外,WSP08N10 符合 RoHS 和绿色环保产品要求,并通过了 100% 雪崩能量测试,具有全功能可靠性认证。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏-源电压 | 100 | - | - | V |
    | VGS | 栅-源电压 | ±20 | - | - | V |
    | ID@TC=25℃ | 连续漏电流(VGS @ 10V) | - | 7.0 | - | A |
    | ID@TC=70℃ | 连续漏电流(VGS @ 10V) | - | 5.5 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | 28 | - | A |
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 | 50 | - | - | mJ |
    | AAS | 雪崩电流 | - | 9 | - | A |
    | PD@TA=25℃ | 总功率耗散 | - | 2.5 | - | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | 结-环境热阻 | 1 | - | 50 | ℃/W |
    | RθJC | 结-壳体热阻 | 1 | - | 24 | ℃/W |

    产品特点和优势


    1. 高级高密度单元密度沟槽技术
    2. 超低栅极电荷
    3. 优秀的 Cdv/dt 效果衰减
    4. 绿色环保装置可选
    这些特点使得 WSP08N10 在各种电力管理和 DC/DC 转换器应用中表现出色。其极高的单元密度和优秀的 RDSON 及栅极电荷确保了其在高温和高功率应用中的稳定性和高效性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    WSP08N10 主要应用于电力管理,特别是在 DC/DC 转换器中。例如,在汽车电子系统、工业控制设备及便携式电源设备中,它能够提供高效的能量转换和管理。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保栅极驱动信号足够强以避免振荡。
    - 确保散热良好,特别是在高功率和高温环境中使用。
    - 考虑并联多个器件以降低单一器件的热应力。

    兼容性和支持


    WSP08N10 支持 SOP-8 封装,适用于标准的表面贴装工艺。Winsok 提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排除和技术文档支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过大 | 检查栅极驱动信号强度,确保正确接地。 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,使用合适的散热器或增加风扇。 |
    | 驱动电压不稳定 | 检查电源稳定性,确保栅极驱动信号符合要求。 |

    总结和推荐


    WSP08N10 N-Channel MOSFET 凭借其出色的 RDSON 和栅极电荷、高级别的单元密度和绿色环保特性,在多种电力管理和 DC/DC 转换器应用中表现出色。它能够满足高温、高压和高功率需求,并且提供了良好的技术支持和服务保障。
    总体评价:我们强烈推荐 WSP08N10 N-Channel MOSFET,特别适用于需要高效能源管理和可靠性的应用场合。

WSP08N10参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 51mΩ@ 10V,7A
最大功率耗散 2.5W
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 SOP-8L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSP08N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP08N10 WSP08N10数据手册

WSP08N10封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.4441
50+ ¥ 1.3591
150+ ¥ 1.213
500+ ¥ 0.909
2500+ ¥ 0.875
7500+ ¥ 0.8494
库存: 2115
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0