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WST3407

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1W 2.5V@ 250uA 30V 52mΩ@ 10V,3A 5.8A SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 31M-WST3407
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WST3407

WST3407概述


    产品简介


    WST3407是一款高性能的Trench结构P通道MOSFET器件,具有极高的单元密度,旨在为小型功率开关及负载开关应用提供卓越的性能表现。它采用了先进的高密度沟槽技术,能够实现超低导通电阻(RDSON)和门极电荷,适用于高频点对点同步降压转换器(如移动便携式设备、超移动个人电脑、显卡等)和网络DC-DC电源系统中的开关管理。
    此款产品符合RoHS标准与绿色产品要求,并通过了全面的功能可靠性测试认证。

    技术参数


    以下是WST3407的技术规格列表:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | -30 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID | 持续漏极电流 | TC=25°C | -6.3 -5.8 | A |
    | ID | 持续漏极电流 | TC=70°C | -4.5 -3.5 | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 -20 | A |
    | PD | 总耗散功率 | TA=25°C | 1.32 1 | W |
    | PD | 总耗散功率 | TA=70°C | 0.84 0.64 | W |
    | RθJA | 结-环境热阻 125 | °C/W |
    | RθJC | 结-外壳热阻 80 | °C/W |
    | BVDSS | 漏源击穿电压 -30 V |
    | RDSON | 导通电阻 | VGS=-10V 41 | 52 | mΩ |
    | RDSON | 导通电阻 | VGS=-4.5V 62 | 90 | mΩ |
    | VGS(th) | 栅阈值电压 -1.2 | -1.8 | -2.5 | V |

    产品特点和优势


    1. 高密度单元设计:采用先进的Trench沟槽技术,实现极高的单元密度,显著降低导通电阻(RDSON)。
    2. 优异的电容性能:总门极电荷(Qg)低,适合高频开关应用。
    3. 出色的温度系数控制:VGS(th)温度系数为4mV/°C,能够在宽温范围内保持稳定的开关性能。
    4. 环保特性:完全符合RoHS和绿色产品要求,绿色环保无铅封装。
    5. 可靠性能:通过严格的功能可靠性测试,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高频同步降压转换器:如移动便携式设备、超移动个人电脑、显卡等。
    - 网络DC-DC电源系统:用于通信设备、服务器等。
    - 负载开关:可作为高压开关管,广泛应用于工业控制领域。
    使用建议
    1. 散热设计:由于最大功率耗散较低,建议在设计时增加散热片以避免过热。
    2. 驱动电路优化:考虑到Qg较低,选择适当的栅极驱动器可以进一步提高效率。
    3. 电路保护措施:建议添加过流保护电路,防止长时间过载工作导致损坏。

    兼容性和支持


    WST3407与市场上常见的标准电路板设计高度兼容,支持标准焊接工艺。制造商Winsok提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请、技术咨询和技术培训等。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现异常噪声 | 检查电路布线,避免干扰源影响 |
    | 导通电阻变差 | 确保工作温度在规定范围内 |
    | 热阻过高导致设备发热严重 | 添加高效散热装置或增大PCB面积 |

    总结和推荐


    WST3407凭借其高集成度、低功耗、优良的电气性能及环保特性,在多个应用领域表现出色。尤其适合需要高频率工作的负载开关和同步降压转换器场景。尽管其功耗限制较严,但整体性价比极高,推荐在相关项目中优先选用。
    综上所述,WST3407是一款值得信赖的高性能P通道MOSFET产品,非常适合作为高端电源管理解决方案的核心组件。

WST3407参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 10V,3A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 5.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 1W
通道数量 -
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WST3407数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WST3407 WST3407数据手册

WST3407封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 0.4275
100+ ¥ 0.3553
300+ ¥ 0.3205
3000+ ¥ 0.2751
6000+ ¥ 0.2538
9000+ ¥ 0.2429
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