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WSD2018DN22

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 1.5W 10V 700mV 32nC 1个N沟道 20V 13mΩ@Vgs=2.5V 12A 1.8nF DFN2X2-6S
供应商型号: WSD2018DN22 DFN2X2-6S
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD2018DN22

WSD2018DN22概述

    WSD2018DN22 高频点负载同步整流 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WSD2018DN22 是一款高性能的深沟槽N通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。它适用于高频点负载同步整流和小功率开关应用,例如移动计算设备(如笔记本电脑、超便携电脑、视频卡等)的电源系统和网络DC-DC转换系统中的负载开关。该产品符合RoHS标准,绿色环保。

    2. 技术参数


    以下是WSD2018DN22的主要技术参数:
    - 工作电压:VDS(漏源电压)最高为20V。
    - 门限电压:VGS(栅源电压)范围为±10V。
    - 连续漏电流:
    - 在25℃时,ID(连续漏电流)为12A。
    - 在70℃时,ID为10A。
    - 脉冲漏电流:IDM(脉冲漏电流)最高为40A。
    - 总功耗:在25℃时,PD(总功耗)为1.5W。
    - 存储温度范围:TSTG(存储温度范围)为-55℃至150℃。
    - 工作结温范围:TJ(工作结温范围)为-55℃至150℃。
    - 热阻:
    - RθJA(结到环境热阻)为167℃/W。
    - RθJC(结到外壳热阻)为65℃/W。
    - 导通电阻:BVDSS(漏源击穿电压)为20V时,RDSON(导通电阻)最大为15mΩ。

    3. 产品特点和优势


    WSD2018DN22的主要优势如下:
    - 先进高密度深沟槽技术:提供卓越的导通电阻和栅电荷。
    - 低栅电荷:出色的开关性能。
    - 优秀的Cdv/dt 效应衰减:适用于高频率应用。
    - 绿色环保设备:符合RoHS标准,可靠度经过全面验证。
    这些特点使其非常适合用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    WSD2018DN22 广泛应用于小功率开关电源和负载开关系统。例如,在移动计算设备和网络DC-DC转换系统的电源管理中表现优异。具体应用包括:
    - 笔记本电脑、超便携电脑和视频卡的电源系统。
    - 网络DC-DC转换系统中的负载开关。
    使用建议:
    - 确保散热设计良好,避免过热。
    - 使用符合规范的电路板布局,确保良好的电气性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与大多数标准电源系统和其他类似的MOSFET产品兼容。
    - 支持:制造商提供详细的安装指南和技术支持服务,以帮助客户顺利实施。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温环境下出现过热现象。
    - 解决方案:确保散热设计良好,增加外部散热片或风扇。

    - 问题2:输出电流不足。
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保栅源电压满足要求。

    - 问题3:栅极泄漏电流较大。
    - 解决方案:更换高质量的封装材料,提高绝缘性能。

    7. 总结和推荐


    WSD2018DN22是一款高性能、紧凑型的MOSFET产品,具有优异的导通电阻和栅电荷特性。它非常适合高频点负载同步整流和小功率开关应用,是当前市场上同类产品中的佼佼者。总体而言,强烈推荐在需要高性能MOSFET的应用中使用此产品。

WSD2018DN22参数

参数
Vgs-栅源极电压 10V
最大功率耗散 1.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.8nF
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@Vgs=2.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
栅极电荷 32nC
通用封装 DFN2X2-6S

WSD2018DN22数据手册

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WSD2018DN22封装设计

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