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WSF50N10G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: 14M-WSF50N10G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF50N10G

WSF50N10G概述


    产品简介


    WSF50N10G N-Channel MOSFET 是一款采用先进的SGT(Super Junction Technology)技术的电子元器件。该产品具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷(Gate Charge)等特点,能够在低至4.5V的门电压下工作。它适用于电池保护、开关应用等多个领域,特别是在消费电子电源供应、电机控制、同步整流和隔离式直流转换等领域表现尤为出色。

    技术参数


    以下是WSF50N10G的技术参数摘要:
    - 基本参数:
    - VDS(漏源电压):100V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - ID(连续漏极电流):40A(25°C时)
    - PD(功率耗散):71W(25°C时)
    - 极限参数:
    - 单脉冲雪崩能量:57mJ
    - 存储和操作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻(结到壳):1.76°C/W
    - 热阻(结到环境):62°C/W
    - 电气特性:
    - BVDSS(漏源击穿电压):100V(ID=250μA时)
    - RDS(ON)(导通电阻):13.8mΩ(VGS=10V,ID=10A时)
    - IGSS(栅漏泄漏电流):±100nA
    - Ciss(输入电容):1003.9pF
    - Qg(总栅极电荷):16.2nC

    产品特点和优势


    - 高效能:采用SGT技术,提供低导通电阻和低栅极电荷,确保高效的电力转换。
    - 高可靠性:适用于严苛的工作环境,支持宽温度范围和高可靠性要求。
    - 广泛适用性:适用于多种应用领域,包括消费电子、电机控制、同步整流和隔离式直流转换。
    - 优化设计:先进的封装设计(TO-252),便于安装和散热管理。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 消费电子电源供应:在笔记本电脑、手机充电器等设备中使用,提高电源效率和稳定性。
    - 电机控制:在电动工具和工业自动化设备中使用,提升系统的可靠性和效率。
    - 同步整流:用于电源适配器,减少能量损耗,提高能效。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保VGS电压不超过额定值,避免过压损坏。
    - 定期检查散热系统,确保MOSFET正常工作。
    - 结合具体应用场景选择合适的驱动电路和外围电路,以达到最佳效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WSF50N10G与现有的许多电路板和电源设计兼容,易于集成。
    - 支持和维护:Winsok公司提供全面的技术支持,包括产品手册、样品测试和技术咨询服务。客户可以联系当地的Winsok代表获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确选择驱动电路?
    - A: 根据负载条件选择合适的栅极电阻,确保MOSFET在安全区域内工作。

    - Q: 如何优化散热性能?
    - A: 使用适当的散热片或冷却风扇,确保MOSFET工作在推荐的温度范围内。

    总结和推荐


    WSF50N10G N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适合多种应用场景。它的低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。在设计和使用过程中,合理选择驱动电路和散热系统将有助于延长产品的使用寿命并确保最佳性能。总体而言,我强烈推荐使用这款产品。
    本手册详细介绍了WSF50N10G的产品特点、技术参数及应用指导,希望对您的选型和应用有所帮助。

WSF50N10G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-252-2L

WSF50N10G数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSF50N10G WSF50N10G数据手册

WSF50N10G封装设计

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30+ ¥ 4.0313
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