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WSP4626

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 21mΩ@4.5V,6A;48mΩ@4.5V,5A 6.7A;4.4A SOP-8L
供应商型号: WSP4626 SOP-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4626

WSP4626概述


    产品简介


    WSP4626是一款高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,具有极高的单元密度。它特别适用于同步降压转换器等应用,提供出色的Rdson(导通电阻)和栅极电荷。WSP4626完全符合RoHS标准,且百分之百通过EAS(电流冲击测试)保证,具备全功能可靠性验证。

    技术参数


    以下是WSP4626的主要技术规格:
    - 电压参数
    - VDS(漏源电压):20V/-20V
    - VGS(栅源电压):±10V/±12V
    - 电流参数
    - 连续漏电流(Ta=25℃):6.7A/-4.4A
    - 连续漏电流(Ta=70℃):5.3A/-3.5A
    - 脉冲漏电流:20A/-20A
    - 总功耗(Ta=25℃):2.0W/2.0W
    - 温度参数
    - 存储温度范围:-55℃至150℃
    - 工作结温范围:-55℃至150℃
    - 热阻抗
    - 结-环境热阻抗:62.5℃/W

    产品特点和优势


    WSP4626的主要特点是:
    - 高单元密度沟槽技术
    - 极低的栅极电荷
    - 出色的CdV/dt效应下降
    - 百分之百EAS保证
    - 绿色环保器件可用
    这些特性使其成为同步降压转换器、直流电源系统和逆变器的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 同步降压转换器:WSP4626非常适合用于提高转换效率和降低发热。
    2. 直流电源系统:提供高效的电力转换和控制。
    3. 逆变器:适用于需要高效功率转换的应用场合。
    使用建议
    - 在设计电路时,确保VGS和VDS在额定范围内使用,以避免损坏。
    - 为了优化散热,可以考虑使用更大面积的散热片或风扇。
    - 在高负载情况下,定期检查器件温度,确保不超过最大允许值。

    兼容性和支持


    WSP4626可与其他常见的电子元件兼容,例如其他沟槽型MOSFET或相关控制器。Winsok公司提供全面的技术支持和维护服务,包括但不限于设计咨询和技术文档支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电荷过高
    - 解决方案:适当调整驱动信号频率,减少开关损耗。

    2. 问题:高温下性能下降
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或采用强制冷却。

    3. 问题:短路导致过热
    - 解决方案:添加过流保护电路,限制电流峰值。

    总结和推荐


    综上所述,WSP4626是一款高性能、高效能的MOSFET,特别适用于多种电力应用场合。其卓越的性能和可靠的品质使得它在市场上具有较强的竞争力。因此,我们强烈推荐使用WSP4626在各种电力转换和控制系统中。
    以上是对WSP4626的详细分析,希望对您选择和使用这款MOSFET有所帮助。

WSP4626参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@4.5V,6A;48mΩ@4.5V,5A
FET类型 -
Id-连续漏极电流 6.7A;4.4A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 SOP-8L

WSP4626数据手册

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WSP4626封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3639
9000+ ¥ 0.3529
15000+ ¥ 0.3424
库存: 127241
起订量: 3000 增量: 3000
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最小起订量为:3000
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