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WSF80N06H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSF80N06H TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF80N06H

WSF80N06H概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    WSF80N06H N-Ch MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种应用场景。该器件采用先进的VDMOST技术,具有低RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷和快速开关的特点。主要用于负载开关、电池保护及不间断电源等领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS (漏源电压) | 60 | V |
    | VGS (栅源电压) | ±20 | V |
    | ID (连续漏电流) @ 25°C | 70 | A |
    | ID (连续漏电流) @ 100°C | 36 | A |
    | IDM (脉冲漏电流) | 100 | A |
    | EAS (单脉冲雪崩能量) | 72.2 | mJ |
    | AAS (雪崩电流) | 38 | A |
    | PD (总功耗) @ 25°C | 52 | W |
    | TJ (结温范围) | -55 到 150 | °C |
    | RθJA (热阻) | 1.62 | °C/W |
    | RθJC (热阻) | 2.4 | °C/W |

    产品特点和优势


    WSF80N06H 具有以下显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:RDS(ON) 仅为8.0 mΩ,有助于减少功耗并提高效率。
    2. 低栅极电荷:具备出色的 Cdv/dt 效应降低能力,确保开关损耗最小化。
    3. 高速开关:具备快速开关性能,适合高频应用。
    4. 高稳定性:提供优异的温度稳定性和均匀性,特别适合逆变器等应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:WSF80N06H 广泛应用于负载开关、电池保护和不间断电源系统。例如,在负载开关中,它能够实现高效且可靠的电流控制,以应对瞬态负载的变化。
    使用建议:为了最大化其性能,建议在使用时注意散热管理,以避免过高的结温影响器件寿命。此外,选择合适的驱动电路可以进一步提升其开关速度和效率。

    兼容性和支持


    WSF80N06H 与大多数标准TO-252封装兼容,可以轻松集成到现有设计中。Winsok公司提供全面的技术支持和售后维护服务,确保客户能够充分利用该产品的所有优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装WSF80N06H以保证最佳性能?
    - 解决办法:确保正确焊接,并保持良好的散热条件。可以使用散热片或风扇来帮助散热。

    2. 问题:在高温环境下运行,器件性能是否会受到影响?
    - 解决办法:应确保结温不超过最大额定值,并采取适当的散热措施。

    总结和推荐


    总体而言,WSF80N06H是一款极具竞争力的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、低栅极电荷和快速开关等特性,在众多应用场合中表现出色。对于需要高效能、高可靠性的工程师和设计师来说,WSF80N06H是一个值得推荐的选择。

WSF80N06H参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-252-2L

WSF80N06H数据手册

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WSF80N06H封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.3341
7500+ ¥ 1.2941
12500+ ¥ 1.2553
库存: 109995
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