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WSP9435

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 13nC@ 10V 38mΩ@ 10V,5.4A 5.4A SOP-8L
供应商型号: 14M-WST2166 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP9435

WSP9435概述

    WSP9435 P-Ch MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WSP9435 是一款高性能的 P 通道沟槽型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有极高的单元密度。该产品适用于笔记本电脑、便携设备及电池供电系统中的电源管理,能够提供出色的 RDS(ON) 和栅极电荷,适合同步降压转换器的应用。WSP9435 符合 RoHS 和绿色产品要求,并经过全面的功能可靠性验证。

    技术参数


    以下是 WSP9435 的关键技术参数:
    - 电压参数
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 漏源电压 (VDS):-30V
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-21A
    - 电流参数
    - 连续漏极电流 (ID),环境温度为 25°C 时:-5.4A
    - 连续漏极电流 (ID),环境温度为 70°C 时:-4.5A
    - 功率参数
    - 总功耗 (PD),环境温度为 25°C 时:2.5W
    - 热阻参数
    - 结点到环境的热阻 (RθJA):80°C/W
    - 结点到外壳的热阻 (RθJC):30°C/W
    - 其他参数
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):-5.4A 时 38mΩ,-2A 时 60mΩ
    - 门限电压 (VGS(th)):-1.0V 到 -2.3V
    - 总栅极电荷 (Qg):13nC 至 19nC

    产品特点和优势


    WSP9435 的主要特点和优势如下:
    - 高级高密度沟槽技术:提供优异的 RDS(ON) 和栅极电荷。
    - 超低栅极电荷:提高能效并减少开关损耗。
    - 出色的CdV/dt效应下降:确保快速且可靠的开关操作。
    - 绿色环保设备:符合 RoHS 和绿色产品标准,具备全功能可靠性认证。

    应用案例和使用建议


    WSP9435 主要应用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统中的电源管理,特别是在同步降压转换器中表现出色。在实际应用中,考虑到散热问题,建议在高温环境下使用时注意散热设计以避免过热损坏。对于大电流应用,应特别注意确保良好的散热措施。

    兼容性和支持


    WSP9435 与多种设备和电子元器件兼容,具体兼容性可通过制造商的技术支持确认。制造商提供全面的支持和服务,包括技术咨询、故障排除等,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及其解决方案:
    - 问题1:过温保护触发。
    - 解决方案:检查散热设计,确保有效的散热措施。

    - 问题2:电流限制触发。
    - 解决方案:降低负载电流,避免超过最大额定值。

    总结和推荐


    WSP9435 P-Ch MOSFET 是一款高性能的 P 通道沟槽型 MOSFET,具有高密度单元、低栅极电荷和快速开关特性。它非常适合用于笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源管理,特别是在同步降压转换器中的应用。凭借其优良的设计和高可靠性,强烈推荐在相关应用中使用 WSP9435。

WSP9435参数

参数
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 5.4A
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 10V,5.4A
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 13nC@ 10V
配置 -
通用封装 SOP-8L

WSP9435数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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WSP9435封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.4107
150+ ¥ 0.403
500+ ¥ 0.3876
2500+ ¥ 0.3838
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