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WSD3050DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 26W(Tc) 2.5V@ 250uA 30V 8.5mΩ@ 10V,15A 50A DFN-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD3050DN DFN3*3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3050DN

WSD3050DN参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 26W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 10V,15A
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSD3050DN数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD3050DN WSD3050DN数据手册

WSD3050DN封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.4166
50+ ¥ 1.3334
150+ ¥ 1.19
500+ ¥ 0.8917
5000+ ¥ 0.8583
15000+ ¥ 0.8334
库存: 410
起订量: 5 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 7.08
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