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WSD3050DN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 26W(Tc) 2.5V@ 250uA 30V 8.5mΩ@ 10V,15A 50A DFN-8 贴片安装
供应商型号: 14M-WSD3050DN DFN3*3-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD3050DN

WSD3050DN概述

    # WSD3050DN N-Channel MOSFET 技术概述

    产品简介


    WSD3050DN 是一款高性能的沟槽型 N 沟道 MOSFET,专为高频率点负载同步降压转换器设计,广泛应用于笔记本电脑(MB/NB)、超移动个人计算机(UMPC)、视频图形阵列(VGA)以及网络化直流-直流电源系统等领域。此款 MOSFET 具备极高的单元密度,提供极低的导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg),特别适用于需要高效能的同步降压转换器。
    主要功能:
    - 高频点负载同步降压转换器的核心器件
    - 适用于负载开关和网络化 DC-DC 电源系统
    - 支持高达 30V 的耐压能力,确保设备在高压环境下稳定运行
    应用领域:
    - 笔记本电脑和超移动个人计算设备
    - 网络通信设备
    - 数据中心及工业自动化设备
    - 各种高可靠性电力电子系统

    技术参数


    以下是 WSD3050DN 的关键技术和性能指标,这些数据有助于设计人员准确选择和使用该器件。
    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 耐压 (VDS) | V 30
    | 栅极电压 (VGS) | V | ±20
    | 连续漏极电流 (ID, TC=25℃)| A 50
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | mJ | 18
    | 热阻 (RθJA) | ℃/W | 1 | 70
    | 开启电阻 (RDS(ON)) | mΩ 6.7 | 8.5 |
    | 导通门限电压 (VGS(th)) | V | 1.5 | 1.8 | 2.5 |
    其他性能如热阻、输入输出电容、开关时间等具体参数详见产品手册。该器件符合 RoHS 和绿色环保标准,并且经过 100% 的单脉冲雪崩测试,确保可靠性。

    产品特点和优势


    WSD3050DN 在以下几个方面表现出色:
    1. 高效率:采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻和极低的栅极电荷,从而实现高效率的电力转换。
    2. 快速响应:卓越的瞬态响应能力,适合高频开关应用。
    3. 可靠性和稳定性:100% EAS 测试保证了器件的耐用性,在极端条件下依然表现优异。
    4. 环保友好:符合 RoHS 和绿色标准,减少了对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 同步降压转换器:用于笔记本电脑和平板电脑中的电源管理模块。
    2. 负载开关:在高功率密度电路中作为高效的开关元件。
    3. 网络通信设备:为路由器和交换机提供稳定的电源供给。
    使用建议
    - 设计时需注意热管理,特别是连续工作状态下避免超过 150℃ 的结温限制。
    - 在高频开关应用中,适当降低栅极电阻以减少开关损耗。
    - 对于极端工作环境,建议使用散热片或优化 PCB 布局以提高散热效果。

    兼容性和支持


    WSD3050DN 可与其他标准 MOSFET 平滑集成,适合多种封装形式。厂商提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户更好地理解和应用该器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 添加外部散热片并优化 PCB 布局 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻以加快开关速度 |
    | 漏电流过大 | 确保 VGS 大于阈值电压 |

    总结和推荐


    WSD3050DN 是一款极具竞争力的高性能 N 沟道 MOSFET,以其低导通电阻、高效率和良好的可靠性成为许多电力电子应用的理想选择。其出色的性价比使其在市场上占据了一席之地。强烈推荐给需要高效能、紧凑设计的工程师和设计师。
    通过本文的技术分析可以看出,WSD3050DN 在高频率、高效率和高可靠性方面表现卓越,是值得信赖的产品。

WSD3050DN参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
最大功率耗散 26W(Tc)
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 10V,15A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

WSD3050DN数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD3050DN WSD3050DN数据手册

WSD3050DN封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.4166
50+ ¥ 1.3334
150+ ¥ 1.19
500+ ¥ 0.8917
5000+ ¥ 0.8583
15000+ ¥ 0.8334
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