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WSD30150DN56

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WSD30150DN56 DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSD30150DN56

WSD30150DN56概述


    产品简介


    WSD30150DN56 N-Channel MOSFET 是一款高性能的沟槽型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的高密度单元结构和沟槽技术制造。这款MOSFET 主要用于高频点对点电源转换系统,如同步降压转换器、网络直流电源系统及电动工具等应用。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 30 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID@TC=25℃): 150 A (VGS @ 10V)
    - 连续漏电流 (ID@TC=100℃): 83 A (VGS @ 10V)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 200 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 125 mJ
    - 雪崩电流 (IAS): 50 A
    - 总功耗 (PD@TC=25℃): 62.5 W
    - 存储温度范围 (TSTG): -55 to 150 ℃
    - 工作结温范围 (TJ): -55 to 150 ℃
    - 热阻 (RθJA): 1 – 30 ℃/W
    - 热阻 (RθJC): 1 – 2 ℃/W
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 1.8 mΩ (VGS=10V, ID=150A)

    产品特点和优势


    - 高密度单元结构:采用先进的高密度单元结构,确保高效能和低电阻。
    - 低栅电荷:具有非常低的栅电荷,有助于提高开关速度。
    - 卓越的CdV/dt效应下降:能够有效减少CdV/dt引起的效应下降。
    - 100% 雪崩能量保证:完全保证雪崩能量,提升可靠性。
    - 环保产品可用:符合RoHS和绿色产品要求,适合绿色环保应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频点对点电源转换器:适用于需要高效能转换的应用,如通信设备和服务器的直流电源系统。
    - 网络设备的DC-DC转换器:适合需要高可靠性的网络设备。
    - 电动工具:适用于要求高功率和可靠性的电动工具。
    使用建议:
    - 确保应用环境符合温度和电压范围的要求,以避免过热和电气损坏。
    - 使用适当的散热措施,以降低工作温度并延长使用寿命。
    - 在选择配套组件时,注意匹配合适的栅极驱动器,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品可与多种标准的电路板设计兼容,适用于不同类型的电源系统。
    - 支持:Winsok提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查电路布局,确保信号路径尽量短且直接,避免不必要的寄生效应。

    2. 问题: 高温导致性能下降。
    - 解决方案: 使用额外的散热器或改进散热设计,确保设备在正常工作范围内运行。
    3. 问题: 电源效率不理想。
    - 解决方案: 调整电路中的其他参数,例如电感值和滤波电容值,确保整个系统的效率最优。

    总结和推荐


    WSD30150DN56 N-Channel MOSFET 是一款性能卓越、应用广泛的高性能MOSFET。它具备出色的RDSON和栅电荷特性,非常适合高频同步降压转换器和其他高功率应用。尽管使用时需注意安全事项,但在正确使用的情况下,这是一款值得推荐的产品。

WSD30150DN56参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通用封装 DFN-8-EP

WSD30150DN56数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSD30150DN56 WSD30150DN56数据手册

WSD30150DN56封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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25000+ ¥ 2.0541
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