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WSF45P10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 136W(Tc) 3V@ 250uA 100V 55mΩ@ 10V,20A 46A TO-252-2L
供应商型号: WSF45P10 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSF45P10

WSF45P10概述


    产品简介


    WSF45P10 P-Ch MOSFET 是一款高性能的沟槽式P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为小功率开关和负载开关应用提供卓越的RDSON(导通电阻)和栅极电荷。该产品符合RoHS标准及绿色产品要求,且经过全面的功能可靠性测试验证。适用于逆变器等多种应用场景。

    技术参数


    - 基本规格
    - BVDSS(漏源击穿电压):-100V
    - RDSON(导通电阻):44mΩ(典型值)
    - ID(连续漏极电流):136A(TC=25°C),26A(TC=100°C)

    - 绝对最大额定值
    - VDSS(漏源电压):-100V
    - VGSS(栅源电压):±20V
    - VTJ(最大结温):175°C
    - TSTG(存储温度范围):-55°C至175°C
    - IS(二极管连续正向电流):-40A(TC=25°C)
    - IDM(脉冲漏极电流):-120A
    - PD(最大功耗):68W(TC=100°C)
    - 电气特性
    - BVDSS(漏源击穿电压):-100V
    - VGS(th)(栅阈电压):-1V至-3V
    - IGSS(栅泄漏电流):±100nA
    - RDSON(导通电阻):44mΩ(VGS=-10V)
    - Ciss(输入电容):5720pF
    - Coss(输出电容):790pF
    - Crss(反向传输电容):450pF(VDS=-20V,频率=1.0MHz)

    产品特点和优势


    - 高单元密度:采用先进的沟槽技术,实现极高的单元密度。
    - 超低栅极电荷:有助于降低整体功耗。
    - 优秀的Cdv/dt效应衰减:减少电压变化对电路的影响。
    - 环保:绿能设备可供选择。

    应用案例和使用建议


    - 逆变器:作为关键组件,在电力转换系统中提供高效的能量传输。
    - 小功率开关和负载开关:例如电源管理电路,用于控制不同电子设备的工作状态。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在安装时配备适当的散热措施,以避免过热导致的产品损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种小型开关和负载开关应用,易于与其他标准元件集成。
    - 支持:厂商提供详尽的技术支持文档,并有专业的技术支持团队随时解答客户疑问。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热保护?
    - 解决方案:确保良好的散热条件,避免长时间满负荷运行。

    - 问题2:栅极噪声干扰?
    - 解决方案:增加屏蔽材料或调整外部线路布局,减少干扰。

    总结和推荐


    WSF45P10 P-Ch MOSFET 是一款性能卓越的小型功率开关器件,适合广泛的应用场景。其独特的技术和功能使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高效能和可靠性的工程师和技术人员。

WSF45P10参数

参数
FET类型 -
Id-连续漏极电流 46A
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 10V,20A
最大功率耗散 136W(Tc)
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250uA
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-252-2L

WSF45P10数据手册

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WSF45P10封装设计

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