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WSP4982

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述: 7.5nC@ 4.5V 24mΩ@ 10V,6A 7A SOP-8L
供应商型号: 14M-WST2162 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WSP4982

WSP4982概述

    WSP4982 Dual N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    WSP4982 是一款高性能的双 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的深槽技术制造,具有极高的单元密度。其核心优势在于出色的导通电阻(RDSON)和低门极电荷(Qg),特别适合同步降压转换器等开关电源应用。该产品符合 RoHS 和绿色环保标准,具备 100% EAS 测试保证和全功能可靠性验证。
    - 产品类型:双 N 沟道 MOSFET
    - 主要功能:高效功率开关、电压控制、电流管理
    - 应用领域:笔记本电脑电源管理、电池供电系统、工业级 DC/DC 转换电路等。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | —— | —— | 40 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±20 | —— | —— | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 5.8 | 7.0 | 28 | A |
    | 导通电阻 | RDS(ON) | 24 | —— | 28 | mΩ |
    | 热阻抗 | RθJA | —— | 110 | —— | °C/W |
    | 储存温度范围 | TSTG | -55 | —— | 150 | °C |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 | —— | 150 | °C |
    注释:
    - PD@TA=70℃:总功耗 1.5 W
    - RθJC:结壳热阻 62.5°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:通过先进的深槽技术实现超低 RDSON(典型值 24 mΩ),适用于高频开关应用。
    - 低门极电荷:典型值 Qg 为 7.5 nC,减少开关损耗并提高系统效率。
    - 快速开关特性:Tgon=7.8 ns,Tf=4.8 ns,显著提升开关速度,降低 EMI 干扰。
    - 绿色环保设计:满足 RoHS 和无铅要求,且具备 100% EAS 保证。
    - 高可靠性:全功能可靠性测试通过,适合工业级和消费级应用。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 笔记本电脑电源适配器中的同步整流降压转换器。
    - 便携式医疗设备的 DC/DC 电源模块。
    - 工业级电池管理系统(BMS)。
    使用建议:
    1. 在设计时应合理选择散热措施,避免因热阻过大导致过温保护。
    2. 使用外部栅极驱动电阻 RG=6Ω,确保良好的开关性能。
    3. 根据应用需求选择合适的封装(如 SOP-8),以满足空间限制和热管理要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:WSP4982 与其他标准封装的 MOSFET(如 TO-220、SOT-23)互换性良好,便于设计升级。
    - 技术支持:Winsok 提供详细的设计指南和技术文档,同时配备专业技术支持团队,确保客户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度较慢 | 调整 RG 阻值,降低栅极充电时间。 |
    | 散热不良导致结温过高 | 增加 PCB 散热面积,安装散热片或风扇。 |
    | 开关过程中出现异常振荡 | 添加 RC 吸收网络以抑制振荡。 |
    | EMI 干扰严重 | 优化 PCB 布局,增加屏蔽罩或滤波电容。 |

    7. 总结和推荐


    综合评价:
    WSP4982 双 N-Channel MOSFET 在多个关键指标上表现出色,尤其是其超低 RDSON 和快速开关特性,使其成为同步降压转换器的理想选择。此外,其绿色环保设计和高可靠性进一步提升了市场竞争力。
    推荐指数:
    对于需要高性能和紧凑设计的应用场景,强烈推荐使用 WSP4982。然而,在极端环境下需注意散热问题,并遵循手册中的注意事项进行设计。
    原文出处:Winsok 技术手册 [WSP4982 Dual N-Channel MOSFET]
    更新日期:2019年4月

WSP4982参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10V,6A
栅极电荷 7.5nC@ 4.5V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 SOP-8L

WSP4982数据手册

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WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 场效应管(MOSFET) WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体 WSP4982 WSP4982数据手册

WSP4982封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.0734
50+ ¥ 1.0102
150+ ¥ 0.9016
500+ ¥ 0.6756
2500+ ¥ 0.6503
7500+ ¥ 0.6314
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